申请/专利权人：重庆邮电大学

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117749117A

主分类号：H03F3/217

分类号：H03F3/217;H03F1/56

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种基于交指结构的电阻电抗性F类功率放大器，属于微波电路技术领域，包括依次连接的输入端、输入匹配模块、稳定性模块、GaN功放晶体管、输出交指滤波匹配电路、输出端；在稳定性模块、GaN功放晶体管之间连接有输入偏置模块；GaN功放晶体管、输出交指滤波匹配电路之间连接有输出偏置模块。本发明采用交指滤波结构不仅紧凑、结实，容易制造，而且结构简单易于集成，具有广阔的应用前景。

主权项：1.一种基于交指结构的电阻电抗性F类功率放大器，其特征在于：包括依次连接的输入端、输入匹配模块、稳定性模块、GaN功放晶体管、输出交指滤波匹配电路、输出端；在稳定性模块、GaN功放晶体管之间连接有输入偏置模块；GaN功放晶体管、输出交指滤波匹配电路之间连接有输出偏置模块。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆邮电大学 基于交指结构的电阻电抗性F类功率放大器

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