申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

申请日：2024-02-06

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117711959B

主分类号：H01L21/56

分类号：H01L21/56;H01L23/29;H01L23/552

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种防漏电抗辐射CMOS器件及其制备方法，制备方法包括如下步骤：（1）制备改性密胺树脂溶液：称取改性微球加入至预聚密胺树脂溶液内，同时加入聚乙二醇（PEG‑400），升温至85‑95℃，保温搅拌1‑2h之后，得到改性密胺树脂溶液；（2）制备防漏电抗辐射涂层：将改性密胺树脂溶液涂覆在CMOS器件的表面，干燥后，即得到防漏电抗辐射CMOS器件。本发明通过在CMOS器件的表面涂覆一层保护涂层，使CMOS器件的防漏电性和抗辐射性能得到较大的提升，同时该涂层还具有较高的强度、耐磨性、耐盐雾腐蚀以及耐高温性，能够从多个方面共同保护CMOS器件。

主权项：1.一种防漏电抗辐射CMOS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）制备改性密胺树脂溶液：称取改性微球加入至预聚密胺树脂溶液内，同时加入聚乙二醇（PEG-400），升温至85-95℃，保温搅拌1-2h之后，得到改性密胺树脂溶液；（2）制备防漏电抗辐射涂层：将改性密胺树脂溶液涂覆在CMOS器件的表面，干燥后，即得到防漏电抗辐射CMOS器件；步骤（1）中，预聚密胺树脂溶液的制备过程包括：称取福尔马林和三聚氰胺混合在反应烧瓶，充分搅拌，滴加氢氧化钠溶液至混合液的pH为8-9，然后升温至75-85℃，保温反应2-3h，得到预聚密胺树脂溶液；其中，福尔马林的质量浓度是38%，三聚氰胺和福尔马林的质量比为1:1.4-1.8；步骤（1）中，改性微球的制备方法包括：S1：以钽盐和钕盐作为金属离子复合盐，与二水柠檬酸三钠在水溶液内结合反应，得到第一溶液；将低价游十二烷基三甲基溴化铵的氢氧化铝溶液作为第二溶液；第一溶液和第二溶液反应混合后在反应釜内反应，制备得到钽钕掺杂勃姆石微球；S2：使用3-氨基丙基三乙氧基硅烷处理钽钕掺杂勃姆石微球，得到活化微球；S3：将2,5-呋喃二甲醛溶解于溶剂内，加入活化微球，在无水乙酸的作用下发生反应，制备得到改性微球。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种防漏电抗辐射CMOS器件及其制备方法

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