申请/专利权人：南京思维芯半导体有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748067A

主分类号：H01P1/20

分类号：H01P1/20;H01P1/203

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及射频器件技术领域，公开了基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，包括GaAs衬底，GaAs衬底的上层设置有微带线结构，微带线结构的表面设置有折叠微带线结构；其中，微带线结构包括两组对称设置的波导八分之一模谐振器，且波导八分之一模谐振器为直角三角形，波导八分之一模谐振器的表面直角边一侧刻蚀有矩形槽，且两组波导八分之一模谐振器上的矩形槽相互连通；折叠微带线结构包括两组对称设置的四分之一波长短路谐振器，且四分之一波长短路谐振器位于矩形槽的内部。本发明提出的GaAs片上集成波导混合式带通滤波器具有紧凑的尺寸、较低的插入损耗，较宽的工作带宽，陡峭的选择性和良好的带外抑制特性。

主权项：1.基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器，其特征在于，包括GaAs衬底12，所述GaAs衬底12的上层设置有微带线结构，所述微带线结构的表面设置有折叠微带线结构；所述微带线结构一侧的两端均设置有90度转接线，所述90度转接线的另一端连接有过渡阻抗变换线2，所述过渡阻抗变换线2的另一端连接有欧姆微带线1；其中，所述微带线结构包括两组对称设置的波导八分之一模谐振器6，且所述波导八分之一模谐振器6为直角三角形，所述波导八分之一模谐振器6的表面直角边一侧刻蚀有矩形槽11，且两组所述波导八分之一模谐振器6上的矩形槽11相互连通；所述折叠微带线结构包括两组对称设置的四分之一波长短路谐振器7，且所述四分之一波长短路谐振器7位于所述矩形槽11的内部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京思维芯半导体有限公司 基于GaAs工艺的片上集成波导混合式单通带滤波器

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