申请/专利权人：上海铭锟半导体有限公司

申请日：2024-02-18

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN117724207B

主分类号：G02B6/13

分类号：G02B6/13;G02B6/136

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种非晶硅光波导的制作方法及非晶硅光波导，该方法，采用微米级光刻机和干法刻蚀产生深亚微米高度的介质台阶，并采用深亚微米厚度的非晶硅沉积和无掩模干法回刻蚀，获得深亚微米宽度的非晶硅光波导。本发明解决了现有技术存在的制作亚微米非晶硅光波导时对先进光刻机的依赖太大等问题。

主权项：1.一种非晶硅光波导的制作方法，其特征在于，采用微米级光刻机和干法刻蚀产生深亚微米高度的介质台阶，并采用深亚微米厚度的非晶硅沉积和无掩模干法回刻蚀，非晶硅层的沉积厚度范围为0.1-3微米，获得深亚微米宽度的非晶硅光波导；通过调整介质台阶高度、非晶硅沉积厚度和回刻蚀量来控制非晶硅光波导的高度、宽度和形状；包括以下步骤：S1，准备衬底晶圆；S2，沉积第一介质层作为非晶硅光波导的下包层；S3，采用光刻和干法刻蚀第一介质层形成台阶，台阶处将形成由两条直边和一条弧边围成截面的非晶硅光波导，h+1≤tox1≤3微米；其中，h表示第一介质层中的台阶高度，tox1表示第一介质层的沉积厚度；S4，沉积非晶硅层作为非晶硅光波导的芯层；S5，回刻蚀非晶硅层形成非晶硅光波导的芯核；S6，沉积第二介质层作为非晶硅光波导的上包层；S7，抛光第二介质层至表面平整；步骤S5中，选择终点检测自动停止刻蚀的方式去除多余的非晶硅，或根据沉积厚度和刻蚀速率计算得出固定的刻蚀时间并增加5%-15%的过刻蚀。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海铭锟半导体有限公司 一种非晶硅光波导的制作方法及非晶硅光波导

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