申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748075A

主分类号：H01P1/22

分类号：H01P1/22

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明属于微波毫米波技术，具体为一种基于变容二极管和PIN二极管的基片集成波导电调凹坑型均衡器，包括SIW本体、渐变过渡线和50Ω微带线。通过在SIW本体上设矩形区域，矩形区域的4条边采用凹槽结构，并在沿矩形区域两相对长边的凹槽上等间距设置多个谐振单元，沿矩形区域两相对宽边的凹槽上等间距设置电容，实现在不同频率下的插入损耗进行不同程度的补偿以实现均衡效果。在谐振单元中，通过第一调节结构中引入的两个芯片电容配合金丝或电感实现隔直通交，通过第二调节结构中引入的PIN二极管代替微波电阻，来控制凹坑的深度，通过对第三调节结构中的变容二极管施加反向直流电压改变其电容值，实现凹坑的频率改变。

主权项：1.一种基于变容二极管和PIN二极管的基片集成波导电调凹坑型均衡器，包括SIW本体、渐变过渡线和50Ω微带线；所述SIW本体的两端各设有一段50Ω阻抗微带线，50Ω阻抗微带线与SIW本体之间通过渐变过渡线相连，其特征在于：所述SIW本体上设有多个第一金属化通孔、多个第二金属化通孔、一个矩形区域和电子元件；多个第一金属化通孔沿SIW本体的其中一长边方向等间距排列成一排，多个第二金属化通孔沿SIW本体的另一长边方向等间距排列成一排；矩形区域设于两排金属化通孔之间，并位于SIW本体的中心位置，其中心点与SIW本体的中心点在重合，长边和宽边分别与SIW本体的长边和宽边对应平行，形成矩形区域的四条边均为凹槽结构；所述电子元件设于凹槽上，由多个谐振单元和多个电容组成，多个谐振单元分别等间距设于形成矩形区域的两相对长边凹槽上；每个谐振单元结构相同，均由并联设置的第一调节结构、第二调节结构和第三调节结构组成，第一调节结构由两个芯片电容和连接结构组成，两个芯片电容分别为第一芯片电容和第二芯片电容，连接结构设于第一芯片电容和第二芯片电容的上方，并与第一芯片电容和第二芯片电容共同形成类“Π”形结构；第二调节结构由第三芯片电容和与第三芯片电容串联的PIN二极管组成，第三调节结构由变容二极管构成；多个电容等间距设于形成矩形区域的两相对宽边凹槽上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种基于变容二极管和PIN二极管的基片集成波导电调凹坑型均衡器

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