申请/专利权人：株式会社村田制作所

申请日：2021-04-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113541617B

主分类号：H03F3/20

分类号：H03F3/20

优先权：["20200421 JP 2020-075387"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.11.09#实质审查的生效;2021.10.22#公开

摘要：提供一种功率放大器、功率放大电路、功率放大设备，抑制无功电流的变动。功率放大器100具备形成在半导体基板303上的晶体管101、晶体管102、晶体管103、以及凸块，该凸块与晶体管101的发射极电连接，设置为在半导体基板303的俯视下，与配置晶体管101的配置区域A1、配置晶体管102的配置区域A2、以及配置晶体管103的配置区域A3重叠。

主权项：1.一种功率放大器，具备：第一晶体管，其形成在半导体基板上；第二晶体管，其形成在所述半导体基板上，基极被供给作为控制电流的一部分的第一电流，并且向所述第一晶体管供给第二电流，该第二电流是基于所述第一电流的偏置电流的一部分；第三晶体管，其形成在所述半导体基板上，被供给作为所述控制电流的一部分的第三电流和作为所述偏置电流的一部分的第四电流，所述第三电流伴随着所施加的应力的增加而减少；以及金属构件，其与所述第一晶体管的发射极电连接，设置为在所述半导体基板的俯视下，与配置所述第一晶体管的第一配置区域、配置所述第二晶体管的第二配置区域以及配置所述第三晶体管的第三配置区域重叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社村田制作所 功率放大器、功率放大电路、功率放大设备

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