申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2021-09-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113972298B

主分类号：H01L31/108

分类号：H01L31/108;H01L31/02;H01L31/0232;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.02.15#实质审查的生效;2022.01.25#公开

摘要：本发明公开了一种自供电偏振可见光探测器及制备方法与应用，所述自供电偏振可见光探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、功能层、SiO2隔离层和金属电极层，其中：缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层；功能层包括InGaN层、石墨烯层和GeS2层，石墨烯层作为GeS2层和InGaN层之间的电子传输层；SiO2隔离层在InGaN层上；金属电极层分别在GeS2层和InGaN层上。本发明通过在InGaN层上转移石墨烯并磁控溅射沉积GeS2薄膜形成异质复合薄膜，可以有效提高可见光探测性能，在提高器件的光电流与响应度的同时，能有效限制器件的暗电流与噪声，实现偏振选择探测。

主权项：1.一种自供电偏振可见光探测器，其特征在于，包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层、功能层、SiO2隔离层和金属电极层，其中：所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层；所述功能层包括InGaN层、石墨烯层和GeS2层，石墨烯层作为GeS2层和InGaN层之间的电子传输层；所述SiO2隔离层在所述InGaN层上；所述金属电极层分别在所述GeS2层和所述InGaN层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种自供电偏振可见光探测器及制备方法与应用

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