申请/专利权人：苏州隐冠半导体技术有限公司

申请日：2023-02-09

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN116178008B

主分类号：C04B35/491

分类号：C04B35/491;C04B35/117;C04B35/622;H10N30/853;H10N30/057;H10N30/093;H10N30/097

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.06.16#实质审查的生效;2023.05.30#公开

摘要：本发明提供了一种压电陶瓷叠堆原料组合物、压电陶瓷叠堆和制备方法。该原料组合物包括：压电陶瓷层原料、结构陶瓷层原料和过渡层原料；其中，压电陶瓷层原料包括压电陶瓷粉体；结构陶瓷层原料包括氧化铝粉体和改性粉体，改性粉体用于降低氧化铝粉体的烧结温度；过渡层原料包括压电陶瓷粉体、氧化铝粉体和改性粉体。在压电陶瓷叠堆中引入了过渡层，过渡层原料中的成分介于结构陶瓷层和压电陶瓷层之间，很好的实现了压电陶瓷层和结构陶瓷层的共烧，通过膜片共烧的方式能够提高端部本体的刚度，可以保证叠堆在高真空环境中应用，而且可以保证叠堆的高刚度，该方法可以有效的提高端部结构的机械性能，提高叠堆的使用寿命。

主权项：1.一种压电陶瓷叠堆制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，将压电陶瓷层原料、结构陶瓷层原料和过渡层原料分别流延成膜，得到压电陶瓷层膜片、结构陶瓷层膜片和过渡层膜片；步骤S2，将所述压电陶瓷层膜片印刷电极后叠层放置，得到第一样品；步骤S3，在所述第一样品的两端分别向外依次设置过渡层膜片和结构陶瓷层膜片，并对所述过渡层膜片和所述结构陶瓷层膜片进行热压整平，得到第二样品；步骤S4，将所述第二样品进行等静压、切割处理，得到压电陶瓷素坯；步骤S5，将所述压电陶瓷素坯进行排胶和烧结处理，得到压电陶瓷叠堆；所述压电陶瓷层原料包括压电陶瓷粉体，所述压电陶瓷粉体包括锆钛酸铅、锆钛酸铅改性材料和氧化锆中的任意一种或者多种；所述结构陶瓷层原料包括氧化铝粉体和改性粉体，所述改性粉体用于降低所述氧化铝粉体的烧结温度；所述过渡层原料包括所述压电陶瓷粉体、所述氧化铝粉体和所述改性粉体。

全文数据：

权利要求：

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