申请/专利权人：西北工业大学深圳研究院

申请日：2022-05-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN115130414B

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367;G01R27/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.10.25#实质审查的生效;2022.09.30#公开

摘要：本发明涉及一种Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法，提出了一种基于实验测量和2端口网络分析的混合物理行为建模法，测量出Cascode型GaN器件的输入电容Ciss，传输电容Crss和输出电容Coss。通过对不同电压等级下的测量数据进行拟合，得到Cascode型GaN器件的Ciss–VDS，Crss–VDS和Coss–VDS非线性压变特性曲线。从测量结果来看，这几个电容容值是随着电压的不同非线性变化的。第二步，根据测量拟合的3条非线性压变电容曲线和低压Si‑MOSFET的3个寄生电容的参数曲线，通过二端口网络分析法推导出取Cascode型GaN器件内部耗尽型的GaN的三个结电容的C–V模型。本发明获得了CascodeGaN的内部的高压耗尽型GaN的非线性电容参数及C‑V其特性曲线，为定量地分析振荡以及设计抑制电路提供参数依据。

主权项：1.一种Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法，其特征在于步骤如下：步骤1：测量Cascode器件外部的结电容参数；步骤2：建立Cascode器件内部的小信号等效电路模型，为两个三角形模块串联构成；其一：器件内部GaN器件三角形连接的栅漏极电容CGD_GaN、栅源极电容CGS_GaN,和漏源极电容CDS_GaN；其二：器件内部低压硅MOSFET器件三角形连接的栅漏极电容CGD_Si、栅源极电容CGS_Si和漏源极电容CDS_Si；两个三角形的连接点为栅漏极电容CGD_GaN、栅源极电容CGS_GaN的并联点G和栅漏极电容CGD_Si、漏源极电容CDS_Si并联点D；步骤3、二端口网络分析法得到Cascode器件的结电容网络：以结电容CGD_Si和结电容CDS_GaN串联组成传输电容网络；以结电容CDS-Si、CDS_GaN和CGS_GaN组成的并联电路电路与结电容CGD_Si串联，然后该串联电路再与结电容CGS_Si并联组成输入电容网络；以结电容CGS-GaN、CGD_Si和CDS_Si组成的并联电路与结电容CDS_GaN串联，然后该串联电路再与结电容CGD_GaN并联组成输出电容网络；步骤4：建立电容网络的参数方程，求解参数方程获得器件内部结电容的参数：步骤4-1：通过Cascode器件外部的传输电容Crss来求解内部结电容CDS_GaN： 已知Crss和CGD_Si的值，求解得CDS_GaN的容值；步骤4-2：通过Cascode器件外部的输入电容Ciss来求解内部结电容CGS_GaN： 已知输入电容Ciss和内部结电容CGD_Si、CDS_Si、CGS_Si、CDS_GaN的值，可求解得到CGS_GaN的容值；步骤4-3：通过Cascode器件外部的输出电容Coss来求解内部结电容CGD_GaN： 已知，输出电容Coss和内部结电容CGD_Si、CDS-Si、CDS_GaN、CGS_GaN的值，可求解得到CGD_GaN的容值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西北工业大学深圳研究院 一种Cascode型器件内部寄生电容参数提取的方法

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