申请/专利权人：之江实验室

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117895203A

主分类号：H01P3/08

分类号：H01P3/08

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明公开了一种基于半导体工艺的低寄生参数的serdes差分对结构及设备，该serdes差分对结构包括至少五层二氧化硅基板，第一层和最后一层二氧化硅基板设置有金属地层，中间层二氧化硅基板分别设置为serdes信号线层和介质层；serdes信号线层设置有serdes差分对，serdes差分对与上下层金属地层的网状部分构成带状线结构；介质层用于隔离金属地层和serdes信号线层。本发明通过在serdes差分对垂直上下地采用镂空加网状结构的组合方式，有效降低了serdes差分对在晶圆的走线过程中寄生而成的电感电容数值，从而优化serdes的回波损耗，同时也能进一步提高传输功率，使得信号传输更加安全。

主权项：1.一种基于半导体工艺的低寄生参数的serdes差分对结构，其特征在于，所述serdes差分对结构包括至少五层二氧化硅基板，第一层二氧化硅基板和最后一层二氧化硅基板设置有金属地层，所述金属地层包括地层网状金属部分12和地层完整金属部分13；中间层二氧化硅基板分别设置为serdes信号线层和介质层15；serdes信号线层设置有serdes差分对11，所述serdes差分对11与上下层地层网状金属部分12构成带状线结构；介质层15用于隔离金属地层和serdes信号线层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 之江实验室 一种基于半导体工艺的低寄生参数的serdes差分对结构及设备

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD