申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117476468B

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：本公开涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种超结结构及其制造方法、超结半导体器件和半导体结构。所述超结结构的制造方法，包括以下步骤：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；形成多个沟槽，沟槽至少包括位于第二外延层中的第一部分，从而形成多个第二外延柱；在多个沟槽中填充第一外延层材料以形成多个第一外延柱，从而得到第一外延柱和第二外延柱交替排列的超结结构。本公开通过在一个超结结构内实现高度一致的第二外延柱，提高了每个超结结构的耐压能力，使得所述超结结构可以承受更高的电压，保持更低的导通电阻和更高的效率，在电力转换或传输过程中能更好地保持稳定性。

主权项：1.一种超结结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在衬底上依次形成第一外延层和第二外延层；通过依次刻蚀第二外延层和第一外延层形成多个沟槽，其中，当刻蚀深度大于第二外延层的厚度时，进一步对第一外延层进行刻蚀，从而形成所述沟槽；所述沟槽包括位于所述第二外延层中的第一部分（1）和位于所述第一外延层中的第二部分（2），从而形成多个第二外延柱，其中，所述多个沟槽具有不相同的深度，所述第一部分（1）贯穿所述第二外延层，通过控制刻蚀速率和刻蚀时间将所述第二部分（2）的深度控制为一个范围值，所述范围值为大于等于零且小于第一外延层的厚度的数值；在所述多个沟槽中填充第一外延层材料以形成多个第一外延柱，从而得到第一外延柱和第二外延柱交替排列的超结结构；在所述超结结构上定义体区注入区域；在所述体区注入区域进行离子注入；通过退火工艺使注入的离子向侧面和下方扩散，以形成体区；在形成所述体区后的结构上，依次形成栅氧化层结构和栅极结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司 超结结构及其制造方法、超结半导体器件和半导体结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD