申请/专利权人:株式会社日立高新技术
申请日:2020-01-27
公开(公告)日:2024-03-22
公开(公告)号:CN113454760B
主分类号:H01L21/3065
分类号:H01L21/3065
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.03.22#授权;2021.10.22#实质审查的生效;2021.09.28#公开
摘要:为了提供能容易地控制被处理基板上的等离子密度分布的等离子处理装置,等离子处理装置具备:微波产生源;具备将在该微波产生源产生的微波运送到处理室的波导管的波导路;在内部具备载置被处理基板的载置台并与波导路连接的处理室;对该处理室的内部导入气体的气体导入部;和将导入到处理室的内部的气体排出到处理室的外部的排气部,在该等离子处理装置中,用形成于同轴上的多个波导管构成波导路的与处理室连接的部分。
主权项:1.一种等离子处理装置,其特征在于,具备:对样品进行等离子处理的处理室;经由波导路提供用于生成等离子的微波的高频电力的高频电源;在所述处理室的内部形成磁场的磁场形成机构;和控制圆形波导管的截止频率并具备电介质的截止频率控制机构,所述波导路具备:所述圆形波导管;和配置于所述圆形波导管的外侧并与所述圆形波导管在同轴上配置的同轴波导管,所述截止频率控制机构还具备:控制所述电介质对所述圆形波导管的插入量的插入量控制机构。
全文数据:
权利要求:
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