申请/专利权人：南京中硼联康医疗科技有限公司

申请日：2016-07-04

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN107569778B

主分类号：A61N5/10

分类号：A61N5/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2018.02.06#实质审查的生效;2018.01.12#公开

摘要：本发明公开了一种中子治疗装置，包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器，所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体，所述中子产生部经离子束照射后产生中子，所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子能区内的中子强度，所述管束具有轴线，所述射束整形体能够绕管束的轴线转动对被照射体进行不同角度的照射。通过支撑架、射束整形体以及偏转磁铁的设置使整个中子治疗装置只需旋转自身结构便能实现整个中子治疗装置进行不同角度的照射，结构简单，运转轻便，易于实现。

主权项：1.一种中子治疗装置，其特征在于，所述中子治疗装置包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器，所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体，所述中子产生部经离子束照射后产生中子，所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子能区内的中子强度，所述准直器将中子产生部产生的中子进行集中照射，所述中子治疗装置具有对被照射体进行照射的照射空间，所述射束整形体连接有用于屏蔽自射束整形体渗漏出的辐射线的屏蔽体，所述中子治疗装置还包括支撑架，所述射束整形体固持于支撑架上，所述屏蔽体包括至少两个能够沿射束整形体的运动方向伸展或收缩的屏蔽件，所述屏蔽件位于射束整形体的两侧，每个屏蔽件的一端连接于所述支撑架另一端固持于所述射束整形体，所述屏蔽体连接于所述射束整形体两侧且形成所述照射空间，所述屏蔽体能够随着射束整形体的运动遮覆于所述照射空间对所述照射空间进行屏蔽。

全文数据：中子治疗装置技术领域[0001]本发明涉及一种放射性射线照射装置，尤其是一种中子治疗装置。背景技术[0002]硼中子捕获治疗装置中使用的中子治疗装置通常因为需要对被照射体进行多个角度的照射，而以往为了实现这种多角度的照射通常将中子治疗装置固定在某个结构庞大的旋转装置上，通过旋转装置的旋转来带动中子治疗装置的旋转。很显然，中子治疗装置本身的结构就非常庞大，要通过外界的旋转装置来带动中子治疗装置的旋转必定需要比中子治疗装置更加庞大的旋转装置才能实现，而且要同时满足中子治疗装置和旋转装置的旋转还需要非常大的空间，整个装置不仅笨重而且适用性不强，不利于中子治疗装置的小型化设计。发明内容[0003]为了提供一种能够进行多角度中子射线照射的中子治疗装置，本发明的一个方面提供一种中子治疗装置，所述中子治疗装置包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器，所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体，所述中子产生部经离子束照射后产生中子，所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子能区内的中子强度，所述准直器将中子产生部产生的中子进行集中照射，所述中子治疗装置具有对被照射体进行照射的照射空间，所述射束整形体连接有用于屏蔽自射束整形体渗漏出的辐射线的屏蔽体，所述屏蔽体能够随着射束整形体的运动遮覆于照射空间对照射空间进行屏蔽。[0004]进一步地，所述中子治疗装置还包括支撑架，所述射束整形体固持于支撑架上，所述支撑架的表面凹设形成与照射空间相连通的容置空间，所述射束整形体、容置空间以及照射空间之间形成间隙，所述屏蔽体遮覆于所述间隙处。[0005]进一步地，所述屏蔽体包括至少两个屏蔽件，所述屏蔽件位于射束整形体的两侧，每个屏蔽件的一端连接于所述支撑架另一端固持于所述射束整形体，当所述射束整形体运动时，位于射束整形体一侧的屏蔽件伸展，位于射束整形体另一侧的屏蔽件收缩。[0006]进一步地，所述屏蔽件由多个首尾相扣持的屏蔽部组成，当所述屏蔽件伸展开时，所述屏蔽部逐一展开而相互扣持;当屏蔽件收缩时，所述屏蔽部逐一堆叠在一起。[0007]进一步地，所述屏蔽部相互扣持的端部设有卡持部，所述卡持部能够在所述屏蔽部的表面移动并与相邻的卡持部相互扣持定位。[0008]进一步地，所述屏蔽部为圆弧状设置，当所述屏蔽部逐一伸展开后所述屏蔽件呈圆弧状。[0009]进一步地，所述容置空间的高度不小于所述屏蔽体的厚度，所述屏蔽体的宽度不小于所述容置空间的宽度。[0010]进一步地，所述屏蔽体连接于所述射束整形体的两侧并且为整体式设置，当所述射束整形体运动时，所述屏蔽体能够与射束整形体共同绕着所述支撑架转动并且始终遮覆于所述射束整形体、容置空间以及照射空间之间形成间隙。[0011]进一步地，所述屏蔽体的宽度不小于所述容置空间的宽度。[0012]进一步地，所述支撑架包括第一支撑部，所述第一支撑部设有第一轨道，所述射束整形体固持于第一轨道，所述第一轨道自第一支撑部的表面凹设形成与照射空间连通的所述容置空间，所述第一支撑部为圆弧状设置，所述第一轨道为与第一支撑部同一圆心的圆弧状设置。[0013]与现有技术相比，本申请具有以下有益效果:本申请通过在射束整形体、容置空间以及照射空间之间形成的间隙设置屏蔽体，对中子治疗装置在照射治疗过程中射束整形体渗漏出的辐射线进行屏蔽，也利于中子治疗装置的整体美观。[0014]本发明的另一个方面也揭示了一种能够旋转照射的中子治疗装置，所述中子治疗装置包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器，所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体，所述中子产生部经离子束照射后产生中子，所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至预设能谱，所述反射体将偏离的中子导回以提高预设能谱内的中子强度，所述准直器将中子产生部产生的中子进行集中照射，所述中子治疗装置具有对被照射体进行照射的照射空间，所述管束具有轴线，所述射束整形体能够绕管束的轴线转动从而对照射空间中的被照射体进行不同角度的照射。[0015]进一步地，所述中子治疗装置还包括支撑架，所述射束整形体固持于支撑架，射束整形体绕管束轴线转动的同时也在支撑架上运动。[0016]进一步地，所述管束包括第一管束和与第一管束相连的第三管束，所述轴线包括第一管束的第一轴线和第三管束的第二轴线，所述射束整形体能够绕第一管束的第一轴线或者第三管束的第二轴线转动。[0017]进一步地，所述第一管束和第三管束之间形成第一夹角，所述第一夹角的大小能够改变以调整射束整形体与照射空间中被照射体的位置关系。[0018]进一步地，所述支撑架包括第一支撑部，照射空间位于第一支撑部下方，所述第一支撑部设有第一轨道，所述射束整形体固持于支撑架的第一轨道，所述第一轨道凹设于支撑架从而形成与照射空间相连通的容置空间，所述准直器自容置空间延伸入照射空间。[0019]进一步地，所述第一支撑部为圆弧状设置，所述第一轨道为与第一支撑部同一圆心的圆弧状设置，所述第一轨道自第一支撑部的圆弧表面凹设形成。[0020]进一步地，所述管束还包括第二管束，所述第二管束连接于中子产生部，所述第二管束和第三管束之间形成第二夹角，所述第二夹角的大小能够改变以调整射束整形体与照射空间中被照射体的位置关系。_[0021]进一步地，所述偏转磁铁固持于支撑架，所述偏转磁铁包括位于第一管束和第三管束之间的第一偏转磁铁以及位于第二管束和第三管束之间的第二偏转磁铁，所述第二管束中离子束的传输方向通过第一偏转磁铁发生改变后传输至第三管束中，第三管束中禹子束的传输方向通过第二偏转磁铁发生改变后传输至第二管束，第二管束中的离子束照射至中子产生部，产生用于中子射线装置进行照射的中子束。[0022]进一步地，所述支撑架还设有用于支撑第二偏转磁铁的第二支撑部，所述第二支撑部设有第二轨道，当射束整形体在第一轨道中运动时，所述第二支撑部在第二轨道中运动。[0023]进一步地，所述支撑架还设有第三支撑部，所述第一偏转磁铁固持于第三支撑部，所述第一管束固定于加速器和第一偏转磁铁之间，所述第二管束连接于射束整形体和第二偏转磁铁之间，所述第三管束连接于第一偏转磁铁和第二偏转磁铁之间。[0024]与现有技术相比，本申请具有以下有益效果:本申请通过支撑架、射束整形体以及偏转磁铁的设置使整个中子治疗装置只需旋转自身结构便能实现整个中子治疗装置进行不同角度的照射，结构简单，运转轻便，易于实现。附图说明[0025]图1为本发明未设置支撑架的示意图；[0026]图2为本发明中子产生部的剖视图；[0027]图3为本发明设置支撑架后的示意图；[0028]图4为本发明实施例射束整形体固持于第一轨道中的示意图；[0029]图5为射束整形体固持在支撑部第一轨道中的俯视图；[0030]图6为本发明另一个角度的示意图；[0031]图7为本发明第一夹角al发生变化时的示意图；[0032]图8为本发明第二夹角a2发生变化时的示意图[0033]图9为本发明支撑架的另一种实施方式示意图；[0034]图10为本发明一种实施方式中屏蔽体的剖视图；[0035]图11为本发明射束整形体在第一轨道中运动到某一位置时屏蔽部的状态图；[0036]图12为本发明射束整形体在第一轨道中运动到另一位置时屏蔽部的状态图；[0037]图13为图8所述示屏蔽体伸展时的俯视图；[0038]图14为本发明另一种实施方式中屏蔽体的剖视图；[0039]图I5为图14所示射束整形体运动到某一位置时屏蔽体的状态图；[0040]图16为图10所示屏蔽体的俯视图。具体实施方式[0041]下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。[0042]中子照射作为一种有效的治疗癌症的手段近年来的应用逐渐增加，其中以硼中子捕获治疗最为常见，供应硼中子捕获治疗的中子可以由核反应堆或加速器供应。本申请的实施例以加速器硼中子捕获治疗为例，加速器硼中子捕获治疗的基本组件通常包括用于对带电粒子如质子、氘核等进行加速的加速器、中子产生部与热移除系统以及射束整形体，其中加速带电粒子与金属中子产生部作用产生中子，依据所需的中子产率与能量、可提供的加速带电粒子能量与电流大小、金属中子产生部的物化性等特性来挑选合适的核反应，常被讨论的核反应有7Lip，n7Be及9Bep,n9B，这两种反应皆为吸热反应。两种核反应的能量阀值分别为1•881MeV和2.055MeV，由于硼中子捕获治疗的理想中子源为keV能量等级的超热中子，理论上若使用能量仅稍高于阀值的质子轰击金属锂中子产生部，可产生相对低能的中子，不须太多的缓速处理便可用于临床，然而锂金属Li和铍金属Be两种中子产生部与阀值能量的质子作用截面不高，为产生足够大的中子通量，通常选用较高能量的质子来引发核反应。[0043]硼中子捕获治疗（BoronNeutronCaptureTherapy,BNCT是利用含硼（10B药物对热中子具有高捕获截面的特性，借由1QBn，a7Li中子捕获及核分裂反应产生4He和7Li两个重荷电粒子，两荷电粒子的平均能量约为2.33MeV，具有高线性转移（LinearEnergy1^18£6]"，1^1'、短射程特征，1粒子的线性能量转移与射程分别为15〇1^¥_、8^11，而71^重荷粒子则为175keVAim、5wii，两粒子的总射程约相当于一个细胞大小，因此对于生物体造成的辐射伤害能局限在细胞层级，当含硼药物选择性地聚集在肿瘤细胞中，搭配适当的中子射源，便能在不对正常组织造成太大伤害的前提下，达到局部杀死肿瘤细胞的目的。[0044]无论硼中子捕获治疗的中子源来自核反应堆或加速器带电粒子与靶材的核反应，产生的皆为混合辐射场，即射束包含了低能至高能的中子、光子;对于深部肿瘤的硼中子捕获治疗，除了超热中子外，其余的辐射线含量越多，造成正常组织非选择性剂量沉积的比例越大，因此这些会造成不必要剂量的辐射应尽量降低。除了空气射束品质因素，为更了解中子在人体中造成的剂量分布，本发明的实施例中使用头部数学假体模型进行剂量计算，并以假体射束品质因素来作为中子射束的设计参考，将在下文详细描述。[0045]国际原子能机构（IAEA针对临床硼中子捕获治疗用的中子源，给定了五项空气射束品质因素建议，此五项建议可用于比较不同中子源的优劣，并供以作为挑选中子产生途径、设计射束整形体时的参考依据。这五项建议分别如下：[0046]超热中子射束通量Epithermalneutronfluxlx109ncm2s[0047]快中子污染Fastneutroncontamination0.7[0051]注:超热中子能区在0.5eV到40keV之间，热中子能区小于〇.5eV，快中子能区大于40keV〇[0052]超热中子射束通量：[0053]中子射束通量和肿瘤中含硼药物浓度共同决定了临床治疗时间。若肿瘤含硼药物浓度够高，对于中子射束通量的要求便可降低;反之，若肿瘤中含硼药物浓度低，则需高通量超热中子来给予肿瘤足够的剂量。IAEA对于超热中子射束通量的要求为每秒每平方厘米的超热中子个数大于1〇9,此通量下的中子射束对于目前的含硼药物而言可大致控制治疗时间在一小时内，短治疗时间除了对病人定位和舒适度有优势外，也可较有效利用含硼药物在肿瘤内有限的滞留时间。[0054]快中子污染：[0055]由于快中子会造成不必要的正常组织剂量，因此视之为污染，此剂量大小和中子能量呈正相关，因此在中子射束设计上应尽量减少快中子的含量。快中子污染定义为单位超热中子通量伴随的快中子剂量，IAEA对快中子污染的建议为小于2xlT13Gy-cm2n。[0056]光子污染（Y射线污染）：[MS7]Y射线属于强穿辐射，会非选择性地造成射束路径上所有组织的剂量沉积，因此降低y射线含量也是中子束设计的必要要求，y射线污染定义为单位超热中子通量伴随的Y射线剂量，IAEA对y射线污染的建议为小于2x10_13Gy-cm2n。[OO58]热中子与超热中子通量比值：[0059]由于热中子衰减速度快、穿透能力差，进入人体后大部分能量沉积在皮肤组织，除黑色素细胞瘤等表皮肿瘤需用热中子作为硼中子捕获治疗的中子源外，针对脑瘤等深层肿瘤应降低热中子含量。IAEA对热中子与超热中子通量比值建议为小于0.05。[0060]中子束流与通量比值：[GG61]中子束流与通量比值代表了射束的方向性，比值越大表示中子射束前向性佳，高前向性的中子束可减少因中子发散造成的周围正常组织剂量，另外也提高了可治疗深度及摆位姿势弹性。IAEA对中子束流与通量比值建议为大于0.7。[0062]图1为本申请中子治疗装置1〇〇,所述中子治疗装置1〇〇包括射束整形体10、设于射束整形体10中的中子产生部11、将离子束P从加速器200传输至中子产生部11的管束20以及使管束20中离子束P的传输方向发生改变的偏转磁铁30。所述射束整形体10包括缓速体12及包设在缓速体外12周的反射体13,所述中子产生部11嵌设于所述缓速体12中（结合图2。所述射束整形体10具有射束出口，所述射束出口所在端面设有准直器40。[0063]结合图3,所述中子治疗装置100还包括用于对被照射体M进行照射的照射空间50和用于支撑射束整形体10的支撑架60。所述支撑架60包括第一支撑部61，所述第一支撑部61上设置有第一轨道611，为了便于制造将所述第一支撑部61和第一轨道611设置为同一圆心的圆弧状结构。在其他实施方式中，可以将第一支撑部61和第一轨道611设置成其他形状，以对射束整形体10相对照射空间50的位置进行更多的变化，此处就不具体说明。所述射束整形体10固持于第一轨道611并且能够在第一轨道611中运动，从而使中子治疗装置对照射空间50内的被照射体M进行不同角度的照射。[0064]结合图4至图6,作为一种实施例，将所述第一轨道611设置在第一支撑部61的圆弧外表面。所述照射空间50位于第一支撑部61的下方，所述第一轨道611自第一支撑部61的圆弧外表面凹设形成与照射空间50相连通的容置空间612。所述反射体13的外表面延伸有位于射束整形体10两侧的固持部131，所述固持部131固持于所述第一轨道611中并沿第一轨道611运动，所述准直器40自容置空间612延伸于照射空间50中。当然，为了整个中子治疗装置的小型化设计，可以不在反射体的表面设置固持部，而使射束整形体设有准直器40的端面与第一轨道611配合，所述端面直接固持在第一轨道611上并借助端面在第一轨道611的运动使中子治疗装置100对被照射体M进行不同角度的照射。[0065]作为另一种实施方式，所述照射空间50可以不设置在第一支撑部61的下方，而位于第一支撑部61的一侧，固持部自射束整形体10延伸出而位于射束整形体10的一侧，所述固持部固持在第一轨道611中并在第一轨道611中运动。此时射束整形体10的射束出口朝向照射空间50’，当射束整形体10在第一轨道611中运动时，中子治疗装置1〇〇能够对照射空间50’中的被照射体未图示进行不同角度的照射。[0066]所述第一轨道还可以设置在所述第一支撑部的前端面。所述固持部自反射体的外表面延伸出而位于射束整形体的一侧，所述固持部固持于第一轨道中并且在第一轨道中运动。当然，还有很多其他实施方式，如不设置固持部而直接将部分反射体固持于该第一轨道中充当固持部，只要能够使反射体沿第一轨道运动从而实现中子治疗装置对照射空间中的被照射体进行不同角度的照射即可，此处就不一一进行阐述。[0067]所述管束20具有轴线，所述管束20包括固定于加速器2〇〇的第一管束21、固定于中子产生部11的第三管束22以及连接于第一管束21和第三管束22之间的第二管束23。所述轴线包括第一管束21的第一轴线I和第二管束23的第二轴线II。所述偏转磁铁30包括第一偏转磁铁31和第二偏转磁铁32。所述第一管束21的一端连接于加速器200,另一端连接于第一偏转磁铁31;所述第二管束23的一端连接于第一偏转磁铁31，另一端连接于第二偏转磁铁32;第二管束22的一端连接于第一偏转磁铁31，另一端连接于弟一偏转磁铁32并且连接于第一管束21和第二管束23之间。所述射束整形体1〇能够绕第一管束21的第一轴线I或者第三管束22的第二轴线11转动以改变射束整形体10对照射空间50中的被照射体的照射角度。第一管束21中离子束P的传输方向通过第一偏转磁铁31发生偏转后传输至第二管束23,第二管束23中离子束P的传输方向通过第二偏转磁铁32发生偏转后传输至第三管束22,第三管束22中的离子束P传输至中子产生部11进而产生用于中子治疗装置1〇〇对被照射体进行照射时需要的中子束。[0068]所述支撑架60还设有位于第一支撑部61上方的第二支撑部62,所述第二偏转磁铁32固持于第二支撑部62,所述第二支撑部62设有允许第二偏转磁铁32随着射束整形体10运动的第二轨道621。所述第二轨道621的具体结构可以参考前文中用于固持射束整形体1〇并允许射束整形体10运动的第一轨道611的结构，此处就不再具体说明。第二支撑部62也可以如图7所示，设置在第一支撑部61后方。[0069]所述射束整形体10根据被照射体需要的不同照射角度在第一轨道611中运动，当射束整形体10绕第一轴线I转动时，所述第三管束22随着射束整形体10运动，第二偏转磁铁32在第三管束22运动的带动下在第二轨道621中运动，借此以实现中子治疗装置1〇〇对照射空间中50的被照射体进行不同角度的照射。当然，将所述射束整形体10也可以设置成绕第二管束23的第二轴线II转动的结构也是可以实现射束整形体10对照射空间50中被照射体的多角度照射的，此处就不再详细说明。[0070]如图7和图8所示，所述第一管束21和第二管束23之间形成第一夹角al，第二管束23和第三管束之间形成第二夹角a2,所述第一夹角al和第二夹角a2的大小均可以改变，可根据实际需要将第一夹角al和第二夹角a2中的任意一个或者两个设置成角度大小可以改变的结构，以减小对射束整形体10的照射角度的局限性。[0071]所述中子治疗装置100还具有用于固定第一偏转磁铁31的第三支撑部63,所述第三支撑部63可以如图9所示，直接设置在支撑架60上，也可以如图3所示，直接固定在地面。[0072]下面对本申请实施方式中整个中子治疗装置的旋转过程进行详细说明。[0073]首先，根据被照射体的具体情况确定照射方向，根据确定后的照射方向使射束整形体10在第一轨道611中运动到能够进行该角度照射的位置，所述第三管束22随射束整形体10运动到某一具体位置后定位；[0074]然后，根据第一管束21的位置、第三管束22的位置以及第二管束23的位置确定第一偏转磁铁31和第二偏转磁铁32的偏转方向。因为第一管束21的位置是固定的，第三管束22的位置是根据射束整形体1〇的运动位置确定，第二管束23位于第一管束21和第三管束22之间且第二偏转磁铁32与第一偏转磁铁31均固定在管束20—端，因此第二管束23的位置可以是由第一管束21和第三管束22的位置确定后空间内能够获得的任意位置，根据确定后的三段管束的位置确定第一偏转磁铁31和第二偏转磁铁32的偏转方向，使自加速器200传输出来的离子束P传输至中子产生部11。[0075]第一管束21中离子束P的传输方向经过第一偏转磁铁31发生改变后传输至第二管束23,第二管束23中离子束P的传输方向再经由第二偏转磁铁32发生改变后传输至第三管束22,第三管束22中的离子束P直接照射至中子产生部11，产生中子束，所述中子束对被照射体进行照射。[0076]需要指出的是，虽然本申请所述缓射束整形体本身具有屏蔽功能，但是，为了在对被照射体进行照射治疗的过程中获得更好的屏蔽效果，也可以额外设置对照射空间进行屏蔽的屏蔽体。尤其当所述第一轨道611是自第一支撑部61的表面凹设形成与照射空间50相连通的容置空间612这种情况时结合图5，射束整形体1〇、容置空间612以及照射空间50之间形成间隙，此间隙一方面会影响中子治疗装置的整体美观，另一方面也会增加照射过程中辐射线的泄露，因此需要设置遮覆于容置空间612并在照射过程中对照射空间50进行屏蔽的屏蔽体7070’）。[0077]下面结合图示，对屏蔽体7070，）的具体结构进行说明，所述屏蔽体7〇7〇’）能够随射束整形体10的运动而运动并且对照射空间50进行屏蔽。[0078]参图10和图11，所述屏蔽体70包括两个能够沿射束整形体的运动方向伸展或者收缩的屏蔽件71。所述屏蔽件71分别位于所述射束整形体1〇的两侧，每个屏蔽件71的一端连接于所述支撑架60另一端连接于所述射束整形体10。[0079]所述屏蔽件71由多个首尾相扣持的屏蔽部72组成，所述屏蔽部72相互扣持的端部设有卡持部73,所述卡持部73能够在所述屏蔽部72的表面移动并与相邻的卡持部相互扣持。当屏蔽件71收缩时，所述屏蔽部72逐一堆叠在一起；当所述屏蔽件71伸展开时，所述屏蔽部72逐一展开而相互扣持而使相邻的两个屏蔽部72定位。所述屏蔽件71部分展开，就是说如图10中所示部分屏蔽部72伸展开，部分屏蔽部72仍堆叠在一起，总之，所述屏蔽部72随着射束整形体10的运动伸展或者堆叠。[0080]如图13和图14所示，当射束整形体10相对第一支撑架61运动时，位于射束整形体10—侧的屏蔽件71做收缩运动而逐渐堆叠，而位于射束整形体1〇另一侧的屏蔽件71做伸展运动而逐渐伸长。当所述屏蔽部72堆叠在一起时，所述屏蔽件71远离照射空间50的部分连接于所述射束整形体10,所述屏蔽件71靠近照射空间50的部分连接于所述支撑架60。[0081]如前文所述，第一轨道611为圆弧状设置，本实施方式中将每个单独的屏蔽部72也设置成圆弧状以达到更好的屏蔽效果。所述屏蔽部72逐一伸展开后，所述整个屏蔽件71呈圆弧状。[0082]为了在照射过程中最大程度地降低辐射的泄露，将所述容置空间612的高度H1设置为不小于所述屏蔽体70的厚度未标号），所述屏蔽体70的厚度是指多个屏蔽部72堆叠在一起的总厚度。并且，将所述屏蔽体70的宽度W2不小于所述容置空间612的宽度ffl。[0083]图15所示为本申请屏蔽体70’的另一种实施方式。所述屏蔽体70’连接于所述射束整形体10的两侧并且形成前文所述的照射空间50。所述屏蔽体70’为整体式设置并且能够随射束整形体10的运动而绕着所述支撑架61转动如图16所示），从而对所述照射空间5〇进行屏蔽。本实施方式中，所述屏蔽体70’收容于所述容置空间612,所述屏蔽体70’的宽度W2’不小于所述容置空间612的宽度W1，当然，所述屏蔽体7〇’的厚度也可以设置为不大于所述容置空间612的高度H1。[0084]屏蔽体7070，）的设置一方面能够屏蔽由射束整形体1〇渗漏出的辐射线，另一方面能够遮覆于照射空间50、容置空间612以及射束整形体1〇之间形成的间隙中，利于整体美观。[0085]另外，还可以在所述屏蔽体的外侧设置能够远离屏蔽体或者靠近并且能够抵持于所述屏蔽体的屏蔽墙未标号）。当所述屏蔽墙远离屏蔽体时，射束整形体10根据实际需求在所述支撑架60上转动以得到合适的照射位置，所述屏蔽体随着射束整形体10的运动而运动并且始终遮覆于所述照射空间50对照射空间50进行屏蔽；当所述射束整形体1〇位于合适的照射位置后，所述屏蔽墙靠近并且抵持于所述屏蔽体，所述射束整形体1〇对照射空间50进行照射，所述屏蔽体对照射空间50进行屏蔽。[0086]屏蔽墙的设置一方面为屏蔽体提供了支撑力，分担了支撑架所承受的部分支撑力；另一方面能够在屏蔽体进行屏蔽的同时对照射过程中产生的辐射进行屏蔽，增强了屏蔽效果。[0087]本文所述的圆弧状不仅仅包括圆上的某段圆弧形状，由多段直线、规则或者不规则的曲线连接形成的类似圆弧的形状均属于本申请所述的圆弧状。[0088]应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不排除一个或多个其它成分或其组合的存在或添加。[0089]尽管本发明的实施方案己公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用。它完全可以被适用于各种适合本发明的领域。对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改。因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。

权利要求：1.一种中子治疗装置，其特征在于，所述中子治疗装置包括射束整形体、设于射束整形体中的中子产生部、将离子束传送至中子产生部的管束、使得离子束传输方向发生改变的偏转电磁铁以及准直器，所述射束整形体包括缓速体及包设在缓速体外周的反射体，所述中子产生部经离子束照射后产生中子，所述缓速体将自中子产生部产生的中子减速至超热中子能区，所述反射体将偏离的中子导回以提高超热中子能区内的中子强度，所述准直器将中子产生部产生的中子进行集中照射，所述中子治疗装置具有对被照射体进行照射的照射空间，所述射束整形体连接有用于屏蔽自射束整形体渗漏出的辐射线的屏蔽体，所述屏蔽体能够随着射束整形体的运动遮覆于照射空间对照射空间进行屏蔽。2.根据权利要求1所述的中子治疗装置，其特征在于，所述中子治疗装置还包括支撑架，所述射束整形体固持于支撑架上，所述支撑架的表面凹设形成与照射空间相连通的容置空间，所述射束整形体、容置空间以及照射空间之间形成间隙，所述屏蔽体遮覆于所述间隙处。3.根据权利要求2所述的中子治疗装置，其特征在于，所述屏蔽体包括至少两个屏蔽件，所述屏蔽件位于射束整形体的两侧，每个屏蔽件的一端连接于所述支撑架另一端固持于所述射束整形体，当所述射束整形体运动时，位于射束整形体一侧的屏蔽件伸展，位于射束整形体另一侧的屏蔽件收缩。4.根据权利要求3所述的中子治疗装置，其特征在于，所述屏蔽件由多个首尾相扣持的屏蔽部组成，当所述屏蔽件伸展开时，所述屏蔽部逐一展开而相互扣持；当屏蔽件收缩时，所述屏蔽部逐一堆叠在一起。5.根据权利要求4所述的中子治疗装置，其特征在于，所述屏蔽部相互扣持的端部设有卡持部，所述卡持部能够在所述屏蔽部的表面移动并与相邻的卡持部相互扣持定位。6.根据权利要求4所述的中子治疗装置，其特征在于，所述屏蔽部为圆弧状设置，当所述屏蔽部逐一伸展开后所述屏蔽件呈圆弧状。7.根据权利要求3所述的中子治疗装置，其特征在于，所述容置空间的高度不小于所述屏蔽体的厚度，所述屏蔽体的宽度不小于所述容置空间的宽度。8.根据权利要求2所述的中子治疗装置，其特征在于，所述屏蔽体连接于所述射束整形体的两侧并且为整体式设置，当所述射束整形体运动时，所述屏蔽体能够与射束整形体共同绕着所述支撑架转动并且始终遮覆于所述射束整形体、容置空间以及照射空间之间形成间隙。9.根据权利要求8所述的中子治疗装置，其特征在于，所述屏蔽体的宽度不小于所述容置空间的宽度。10.根据权利要求2所述的中子治疗装置，其特征在于，所述支撑架包括第一支撑部，所述第一支撑部设有第一轨道，所述射束整形体固持于第一轨道，所述第一轨道自第一支撑部的表面凹设形成与照射空间连通的所述容置空间，所述第一支撑部为圆弧状设置，所述第一轨道为与第一支撑部同一圆心的圆弧状设置。

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