申请/专利权人：中国电子科技集团公司第九研究所

申请日：2021-05-31

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113292039B

主分类号：B81B7/02

分类号：B81B7/02;B81B7/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开

摘要：本发明公开了一种MEMS硅基腔体环行器隔离器电路膜层结构，属于微波集成器件领域，所述电路膜层结构从上至下依次包括金膜层、铜膜层、氮化钽负载膜层、打底膜层、隔离膜层和高阻硅层，优选在所述金膜层与铜膜层之间，还设置有阻挡膜层；本发明还公开了上述电路膜层结构的制备方法；使用本申请的电路膜层结构与现有技术相比，MEMS硅基腔体环行器隔离器器件的插入损耗能够降低0.2‑0.3dB，满足MEMS硅基腔体环行器隔离器器件应用的低损耗要求。

主权项：1.一种MEMS硅基腔体环行器隔离器电路膜层结构，其特征在于：从上至下依次包括金膜层、铜膜层、氮化钽负载膜层、打底膜层、隔离膜层和高阻硅层；在所述金膜层与铜膜层之间，还设置有阻挡膜层，其中，所述隔离膜层用于阻挡高温时金膜层向高阻硅层扩散，所述阻挡膜层用于在高温下阻挡金膜层和铜膜层互渗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第九研究所 一种MEMS硅基腔体环行器/隔离器电路膜层结构及制备方法

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