申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2022-03-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114725234B

主分类号：H01L31/09

分类号：H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0376;H01L31/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.07.26#实质审查的生效;2022.07.08#公开

摘要：本发明属于深紫外探测领域，涉及日盲紫外探测器，具体提供一种基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法。本发明采用叉指电极设置于衬底上、非晶Ga2O3薄膜层直接覆盖衬底与电极上的新型结构，相比于非晶Ga2O3薄膜层设置于衬底上、叉指电极设置于非晶Ga2O3薄膜层上的现有结构，本发明能够消除器件后制作过程中a‑Ga2O3薄膜污染的可能性，改善了材料的界面态，最大程度降低了界面处产生缺陷从而影响器件性能；并且维持了较好的表面形貌，避免光刻胶对材料光学性能产生不利影响；同时，反式结构有利于电荷的短距离传输，避免电荷在传输过程中造成的损耗，提升了器件的响应时间。综上，本发明的提供了一种兼具高响应度与快速响应时间的非晶Ga2O3日盲紫外探测器。

主权项：1.一种基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器，其特征在于，所述日盲紫外探测器由衬底、叉指电极与非晶Ga2O3薄膜层构成，所述叉指电极设置于衬底上表面，所述衬底与叉指电极被非晶Ga2O3薄膜层完全覆盖；所述衬底采用石英衬底，所述叉指电极采用金电极、金电极的厚度为60nm，叉指电极的叉指长度、宽度、叉指间距分别为200um、4um、4um，所述非晶Ga2O3薄膜层的厚度为100nm；所述日盲紫外探测器的响应度在10V偏压下为579AW，所述日盲紫外探测器的光电流的上升时间和下降时间分别为42ms和8ms；所述基于非晶Ga2O3薄膜的日盲紫外探测器由以下步骤制备：步骤1.衬底预处理：对衬底进行切割、清洗；步骤2.叉指电极制备：采用负胶光刻法制备叉指电极图案，再采用双源电子束物理气相沉积法制备金电极于衬底上表面；步骤3.非晶Ga2O3薄膜制备：采用等离子体增强原子层沉积PE-ALD法沉积非晶Ga2O3薄膜于衬底与叉指电极上表面；具体为：将样品放入原子层沉积设备中，设置反应的基底温度为200～250度、载气为高纯氮气，并温度保持在室温；采用TEG作为镓源、O2作为氧源送入反应腔：TEG前驱体注入0.5s～1s、N2吹扫5s～10s，O2等离子体注入10s～15s、N2吹扫5s～10s，重复1500～2500个循环，得到非晶Ga2O3薄膜，非晶Ga2O3薄膜为a-Ga2O3薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 基于非晶Ga₂O₃薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法

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