申请/专利权人：扬州大学

申请日：2022-04-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114781308B

主分类号：G06F30/373

分类号：G06F30/373;G06F30/367

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.08.09#实质审查的生效;2022.07.22#公开

摘要：本发明公开了一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，使用相关系数法与TIC法相结合的方式进行拟合，相关系数法是对两条曲线的趋势一致性进行拟合，TIC法是对两条曲线进行精度进行拟合。与传统的MSE方法相比，此方法可以快速便捷解决特性曲线MSE不在一个数量级导致难以优化的问题，有效节约了仿真时间，提高了器件电学模型优化效率。

主权项：1.一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法，其特征在于，包括：步骤1：根据待测器件的结构图及工艺参数，利用TCAD软件进行器件结构建模；步骤2：在结构模型的基础上添加物理模型，包括载流子产生-复合模型、迁移率模型和载流子统计模型；步骤3：进行器件电学特性仿真，获得器件的正向压降曲线和反向漏电流曲线；步骤4：基于相关系数法进行电学参数优化，具体包括：对仿真得到的正向压降曲线以及器件实验得到的正向曲线按照等间距取点，然后按照相关系数法计算得到正向压降曲线的相关系数；对仿真得到的反向漏电流曲线以及器件实验得到的反向漏电流曲线按照等间距取点，然后按照相关系数法计算得到反向漏电流曲线的相关系数；若正向压降曲线的相关系数与反向漏电流曲线的相关系数的和值小于1.7，则使用TCAD软件中的GeneticAlgorithm迭代算法优化器对器件进行参数进行优化；步骤5：对完成基于相关系数法进行电学参数优化后的器件再次进行器件电学特性仿真，获取器件新的正向压降曲线和反向漏电流曲线；步骤6：基于TIC法进行电学参数优化，具体包括：对步骤5仿真得到的正向压降曲线以及器件实验得到的正向曲线按照等间距取点，然后按照TIC法计算得到正向压降曲线的TIC值；对步骤5仿真得到的反向漏电流曲线以及器件实验得到的反向漏电流曲线按照等间距取点，然后按照TIC法计算得到反向漏电流曲线的TIC值；若正向压降曲线的TIC值与反向漏电流曲线的TIC值的和值大于0.3，则使用TCAD软件中的GeneticAlgorithm迭代算法优化器对器件进行参数进行优化；步骤7：将步骤6最后得到的参数代入器件模型，得到优化完成的最终器件模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州大学 一种肖特基二极管的电学特性曲线拟合优化方法

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