申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117529222B

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;H10N70/00;H10B63/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明提出了一种导电丝形成区域可控的拓扑相变忆阻器及其制备方法，本发明涉及半导体信息存储和人工突触器件技术领域，所述拓扑相变忆阻器自下而上包括底电极层、阻变功能层、介质层和顶电极层；施加电压后，所述底电极层与顶电极层之间形成导电通道，所述导电通道导通顶电极层与底电极层；所述导电通道包括第一导电丝和第二导电丝，所述第一导电丝形成于介质层，所述第二导电丝形成于阻变功能层，所述第二导电丝的形成受限于第一导电丝。本发明通过在阻变功能层的上界面引入介质层形成叠层结构，通过第一导电丝实现第二导电丝的定向生长，有利于第二导电丝成型和断裂的有序性，增强器件的循环稳定性，促使器件的存储窗口得到提升。

主权项：1.一种导电丝形成区域可控的拓扑相变忆阻器，其特征在于：所述拓扑相变忆阻器自下而上包括底电极层、阻变功能层、介质层和顶电极层；施加电压后，所述底电极层与顶电极层之间形成导电通道，所述导电通道导通顶电极层与底电极层；所述导电通道包括第一导电丝和第二导电丝，所述第一导电丝形成于介质层内，所述第二导电丝形成于阻变功能层内，所述第二导电丝的形成区域受限于第一导电丝；所述第二导电丝的形成区域与所述第一导电丝的形成区域相对应，且第二导电丝的宽度小于等于第一导电丝的宽度，以通过第一导电丝限制第二导电丝的形成；所述介质层的材料为AaOb，其中A为Al、Hf、Ta、Zr、BiFe和BaTi中的任意一种，a和b均大于0；所述阻变功能层的材料为SrFeO2.5或SrCoO2.5。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种导电丝形成区域可控的拓扑相变忆阻器及其制备方法

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