申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2018-02-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN109285847B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：["20170719 KR 10-2017-0091607"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2020.08.04#实质审查的生效;2019.01.29#公开

摘要：本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。

主权项：1.一种光电转换元件，包括：基板；和多个晶格堆叠，在所述基板上一个在另一个的顶部上重复堆叠并配置为具有有效带隙，其中所述多个晶格堆叠的每个包括第一有源层和在所述第一有源层上的第二有源层，所述第一有源层包括具有第一带隙的第一二维材料，所述第二有源层包括具有不与所述第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料，所述第一二维材料和所述第二二维材料每个独立地包括IV族过渡金属硫族化合物材料、V族过渡金属硫族化合物材料和VI族过渡金属硫族化合物材料中的一种，所述多个晶格堆叠形成多量子阱结构，所述多个晶格堆叠的所述有效带隙基于所述第一有源层和所述第二有源层的厚度，所述第一有源层的厚度和所述第二有源层的厚度每个在从1.0nm至3.5nm的范围内，以及所述多个晶格堆叠的所述有效带隙对应于红外区域。

全文数据：光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器技术领域本公开涉及光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。背景技术拍摄物体的图像并将该图像转换为电信号的图像传感器不仅用于典型的消费电子设备诸如手机相机和便携式摄像机，而且用于安装在安全设备和机器人中的相机中。这样的图像传感器通常是包括硅的互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器，并通过使用典型的制造工艺来制造，因此，具有优异的可加工性和高可靠性。然而，近来，CMOS图像传感器技术的局限性已经出现在诸如生物健康、人脸识别、指纹识别和安全服务的应用中，因为无法通过包括硅的CMOS图像传感器来检测红外IR区域。例如，基于Si的图像传感器在近红外NIR区域中具有小于30％的量子效率。这对应于相对于可见光区域的小于50％的低光照强度。因此，正在对具有高灵敏度的用于接收包括IR区域的各种波长区域的光的光接收元件进行研究。发明内容提供了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。另外的方面将在下面的描述中被部分地阐述，并将部分地从该描述变得明显，或者可以通过给出的实施方式的实践而掌握。根据本发明构思的一些示例实施方式，一种光电转换元件可以包括基板以及在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙的多个晶格堆叠。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。在一些示例实施方式中，所述多个晶格堆叠可以形成多量子阱MQW结构。在一些示例实施方式中，所述多个晶格堆叠的有效带隙可以根据第一有源层的厚度来调整。在一些示例实施方式中，所述多个晶格堆叠的有效带隙可以根据第二有源层的厚度来调整。在一些示例实施方式中，第一有源层的厚度可以不同于第二有源层的厚度。在一些示例实施方式中，第一有源层的厚度和第二有源层的厚度可以每个在从约1.0nm至约3.5nm的范围内。在一些示例实施方式中，有效带隙可以根据第一二维材料的类型和第二二维材料的类型来调整。在一些示例实施方式中，第一二维材料和第二二维材料可以均独立地包括IV族过渡金属硫族化合物TMD材料、V族TMD材料和VI族过渡金属硫族化合物TMD材料的其中之一。在一些示例实施方式中，第一二维材料和第二二维材料可以均独立地包括MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、HfS2、HfSe2、SnS2、SnSe2、VSe2、VTe2、VS2、VSe2、VTe2、NBS2、NBSe2、NBTe2、TaS2、TaSe2、TaTe2、TiS2、TiSe2、HiTe2、HfTe2、MoTe2和WTe2中的一种。在一些示例实施方式中，第一二维材料和第二二维材料中的每个可以独立地包括钙钛矿、金属卤化物、石墨碳和石墨烯中的一种。在一些示例实施方式中，有效带隙可以根据在所述多个晶格堆叠中重复晶格堆叠的数目来调整。在一些示例实施方式中，所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的数量可以在3至100的范围内。在一些示例实施方式中，所述多个晶格堆叠中的至少一个还可以包括在第一有源层和第二有源层之间的阻挡层。在一些示例实施方式中，所述多个晶格堆叠的有效带隙可以对应于红外区域。在一些示例实施方式中，光电转换元件还可以包括在基板和所述多个晶格堆叠之间的缓冲层。在一些示例实施方式中，光电转换元件还可以包括在所述多个晶格堆叠上的钝化层。根据一些示例实施方式，一种光电转换元件可以包括基板以及包含彼此交替地布置在基板上的多个第一有源层和多个第二有源层的结构。所述多个第一有源层可以接触所述多个第二有源层。所述多个第一有源层可以每个包括具有第一带隙的第一二维材料。所述多个第二有源层可以每个包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。该结构可以配置为具有有效带隙。有效带隙可以基于第一能级和第二能级之间的差异。第一能级可以在第一二维材料的导带和第二二维材料的导带之间。第二能级可以在第一二维材料的价带和第二二维材料的价带之间。在一些示例实施方式中，所述多个第一有源层中的至少一个的厚度和所述多个第二有源层中的至少一个的厚度可以均在从约1.0nm至约3.5nm的范围内。在一些示例实施方式中，光电转换元件还可以包括布置在所述多个第一有源层和所述多个第二有源层之间的多个阻挡层。在一些示例实施方式中，该结构可以包括由所述多个第一有源层直接接触所述多个第二有源层中的对应的第二有源层而限定的多个异质结。根据本发明构思的一些示例实施方式，一种光学传感器包括上述光电转换元件中的至少一个。附图说明从以下结合附图对一些示例实施方式进行的描述，这些和或其它的方面将变得明显并更易于理解，附图中：图1是根据一些示例实施方式的光电转换元件的示意性截面图；图2示出根据比较例的第一有源层、第二有源层和带隙能量；图3示出形成异质结结构的第一有源层和第二有源层以及带隙能量；图4示出包括重复的晶格堆叠的结构以及该结构的带隙能量；图5是显示出二维过渡金属硫族化合物TMD材料及其带隙能量的图；图6是显示出根据比较例的2型超晶格T2SL材料及其带隙能量的图；图7是显示出二维TMD材料的晶格常数及其带隙能量的图；图8是根据一些示例实施方式的光电转换元件的有效能带的示意图；图9是根据一些示例实施方式的光电转换元件的示意图；图10是根据一些示例实施方式的光电转换元件的示意图；以及图11是根据一些示例实施方式的光学传感器的示意性透视图。具体实施方式现在将详细参照实施方式，其示例在附图中示出，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点上，所给出的实施方式可以具有不同的形式，而不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面通过参照附图仅描述了实施方式以解释多个方面。诸如“……中的至少一个”的表述，当在一列元件之后时，修饰整列元件，而不修饰该列的个别元件。在附图中，为了清楚和便于描述，层或区域的宽度或厚度可以被夸大。除非另外地限定，否则这里使用的所有术语包括技术术语和科学术语都具有与示例实施方式所属的领域内的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解，术语诸如在通用字典中定义的那些应当被解释为具有与其在相关领域的背景中的含义一致的含义，而不应被解释为理想化或过于正式的意义，除非这里明确地如此限定。尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种组件，但是这样的组件不应限于以上术语。以上术语仅用于将一个组件与另一个区别开。以单数形式使用的表述涵盖复数形式的表述，除非它在上下文中具有明显不同的含义。在本说明书中，将理解，诸如“包括”或“具有”等的术语旨在表明说明书中公开的组件的存在，并且不旨在排除可添加一个或更多个组件的可能性。图1是根据一些示例实施方式的光电转换元件100的示意性截面图。如图1所示，光电转换元件100可以包括基板SUB以及包含第一有源层AL1和第二有源层AL2的多个晶格堆叠ST1至STn。基板SUB可以支撑所述多个晶格堆叠ST1至STn。例如，基板SUB可以是硅基板或蓝宝石基板，但是不限于此。例如，基板SUB可以包括而不限于SiC、MgAl2O4、MgO、LiAlO2、LiGaO2和GaN中的至少一种。所述多个晶格堆叠ST1至STn中的每个可以包括第一有源层AL1和第二有源层AL2。在下文，为了便于描述，描述将集中在第一晶格堆叠ST1上，但是该描述共同地应用于所述多个晶格堆叠ST1至STn的全部。第一晶格堆叠ST1可以包括彼此接触的第一有源层AL1和第二有源层AL2。第一有源层AL1和第二有源层AL2可以包括不同的材料从而形成异质结结构。第一有源层AL1可以包括具有第一带隙的第一二维材料，第二有源层AL2可以包括具有第二带隙的第二二维材料。第一带隙和第二带隙可以彼此不重叠。第一有源层AL1和第二有源层AL2可以接合到彼此，因此，形成具有有效带隙的异质结。第一有源层AL1可以包括第一二维材料。例如，第一二维材料可以从IV族、V族或VI族过渡金属硫族化合物TMD材料选择。例如，第一二维材料可以包括MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、HfS2、HfSe2、SnS2、SnSe2、VSe2、VTe2、VS2、VSe2、VTe2、NBS2、NBSe2、NBTe2、TaS2、TaSe2、TaTe2、TiS2、TiSe2、HiTe2、HfTe2、MoTe2和WTe2的至少一种。此外，第一二维材料可以包括钙钛矿、金属卤化物、石墨碳和石墨烯的其中一种。第二有源层AL2可以包括第二二维材料。例如，第二二维材料可以从IV族、V族或VI族TMD材料选择。例如，第二二维材料可以包括MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、HfS2、HfSe2、SnS2、SnSe2、VSe2、VTe2、VS2、VSe2、VTe2、NBS2、NBSe2、NBTe2、TaS2、TaSe2、TaTe2、TiS2、TiSe2、HiTe2、HfTe2、MoTe2和WTe2的至少一种。此外，第二二维材料可以包括钙钛矿、金属卤化物、石墨碳和石墨烯的其中一种。通过选择IV族、V族或VI族TMD材料作为第一二维材料和第二二维材料并使用所述材料形成异质结而形成的晶格堆叠可以具有可容易调整的有效带隙并且可以具有高的可加工性。具体地，使用如上所述的异质结结构的光电转换元件可以用于测量直到红外IR区域，并且即使有晶格堆叠的厚度，也可以调整其有效带隙。因此，设计和加工光电转换元件是容易的。另一方面，仅由单一的二维材料形成的光电转换元件具有低的可加工性并可能氧化，因此，在大气中具有低稳定性。此外，使用量子点检测器的光电转换元件需要适于加工的反应能力并且具有低的可加工性，并且其配体和尺寸被三维地控制，因此，难以调整光电转换元件的吸收率。石墨烯检测器包括半金属材料，因此，容易调整石墨烯检测器的波长区域，但是难以控制其电流和能带隙。将参照图2至图5描述根据一些示例实施方式的光电转换元件的有效带隙。图2示出根据比较例的第一有源层AL1、第二有源层AL2及其带隙能量。参照图2，示出当第一有源层AL1和第二有源层AL2彼此不接触时的情形的第一有源层AL1的第一带隙和第二有源层AL2的第二带隙。第一有源层AL1的第一带隙可以由第一二维材料的类型和第一有源层AL1的厚度确定。第二有源层AL2的第二带隙可以由第二二维材料的类型和第二有源层AL2的厚度确定。图3示出形成异质结的第一有源层AL1和第二有源层AL2及其带隙能量。参照图3，有效带隙通过在第一有源层AL1和第二有源层AL2之间形成异质结形成。当晶格堆叠包括第一有源层AL1与第二有源层AL2之间的异质结时，影响晶格堆叠的有效带隙的因素包括第一二维材料的类型、第二二维材料的类型、第一有源层AL1的厚度以及第二有源层AL2的厚度。例如，晶格堆叠的有效带隙之上的导带的能级Ee与1meLB2成比例。晶格堆叠的有效带隙之下的能级Eh与1mhLA2成比例。me是电子有效质量，mh是空穴质量，LB表示第一有源层AL1和第二有源层AL2中的具有较小带隙的一个的厚度。LA表示第一有源层AL1和第二有源层AL2中的具有较高带隙的一个的厚度。例如，LB可以是第二有源层AL2的厚度，LA可以是第一有源层AL1的厚度，但是不限于此。LA和LB可以彼此不同。根据期望的有效带隙，厚度LA和LB可以设定为各种值。例如，当要在IR区域中形成有效带隙时，厚度LA和LB可以设定为在从约1.0nm至约3.5nm的厚度范围内。图4示出包括重复的晶格堆叠的结构及其带隙能量。参照图4，多个晶格堆叠ST1至STn可以被重复地堆叠。例如，所述多个晶格堆叠ST1至STn可以形成多量子阱MQW。基于所述多个晶格堆叠ST1至STn被重复堆叠的次数n，可以调整有效带隙的宽度。例如，如果要在IR区域中形成有效带隙，则重复堆叠晶格堆叠的次数n可以是3至100次。例如，有效带隙的宽度可以由于所述多个晶格堆叠ST1至STn当中的相邻的晶格堆叠之间的波函数干涉而被调整。例如，当晶格堆叠一个堆叠在另一个上时，波函数干涉可以在第一有源层AL1之间或在第二有源层AL2之间发生并改变有效带隙的能级。例如，由于第一有源层AL1之间的波函数干涉，有效带隙的上导带的能级Ee'可以与1meLB2-2t成比例。这里，me表示电子有效质量；LB表示有源层的厚度；t表示传输经过相邻的有源层所消耗的能量。参照图4，所述多个晶格堆叠ST1至STn的上导带的能级Ee可以低于图3的形成异质结的晶格堆叠ST1和ST2的能级Ee。有效带隙可以基于第一能级和第二能级之间的差异，其中第一能级在第一二维材料的导带与第二二维材料的导带之间，第二能级在第一二维材料的价带与第二二维材料的价带之间。图5是显示出二维TMD材料及其带隙能量的图。参照图5，示出了IV族、V族和VI族的二维TMD材料及其带隙能量。例如，第一二维材料和第二二维材料可以从IV族、V族和VI族二维TMD材料选择。例如，适合的二维TMD材料可以根据与将由光电转换元件接收的光的波长对应的有效带隙来选择。图6是显示出根据比较例的2型超晶格T2SL材料及其带隙能量的图。图。图7是显示出二维TMD材料的晶格常数及其带隙能量的图。参照图6，当根据比较例使用T2SL材料形成晶格堆叠时，可以提供高的可加工性。然而，当晶格堆叠由T2SL材料形成时，与使用二维材料时不同，外延生长会受到限制。因此，与工艺有关的限制可能由于必须选择III族或V族材料作为基板而引起。此外，由于T2SL材料在空气中具有低的稳定性，所以会需要使用钝化层的封装操作，这提高了成本。此外，为了生长T2SL材料，会需要昂贵的分子束外延MBE来形成器件。参照图7，当通过使用二维TMD材料形成晶格堆叠时，形成限制可以比使用T2SL材料时的情况中小。例如，包括二维TMD材料的晶格堆叠可以在各种类型的基板上外延生长。例如，基板可以不仅包括III族至IV族材料，而且包括Si、SiO2、Ge和其它二维材料。此外，当使用二维TMD材料时，可以以晶片级处理晶格堆叠，因此，可加工性高。也就是，当通过使用二维TMD材料形成晶格堆叠时，形成晶格堆叠的工艺与典型的Si工艺是兼容的，因此，允许工艺成本的降低。当生长晶格堆叠时，可以使用比MBE装置便宜的金属有机化学气相沉积MOCVD装置。此外，如上所述，可以调整将通过使用利用了如上所述的采用二维TMD材料的晶格堆叠而感测的带。例如，将被感测的带可以基于多种多样的参数例如，第一有源层的材料的类型和厚度、第二有源层的材料的类型和厚度、以及重复堆叠晶格堆叠的次数而容易地调整。当通过第一有源层AL1和第二有源层AL2之间的异质结形成晶格结构时，为了限制和或防止第一有源层AL1和第二有源层AL2之间的晶格失配，可以选择具有合适的晶格常数的第一二维材料和第二二维材料。如图7所示，二维TMD材料的晶格常数变化不大。因此，用于形成晶格堆叠的第一二维材料和第二二维材料可以根据图7从二维TMD材料选择而相对没有限制。因此，可以提供关于工艺的高自由度。图8是根据一些示例实施方式的光电转换元件的有效能带的示意图。根据一些示例实施方式的光电转换元件是设计接收IR区域中的光的光电转换元件的示例，IR区域包括近红外NIR区域0.75μm-1μm、短波长红外SWIR区域1μm-2.5μm和中波长红外MWIR区域3μm-5μm。为了形成约0.2eV的能隙，可以选择MoSe2作为第一二维材料来形成第一有源层，可以选择ZrS2作为第二二维材料来形成第二有源层。例如，其中第一有源层具有2.1nm的厚度并且MoSe2被选择作为第一二维材料以及第二有源层具有3.5nm的厚度并且ZrS2被选择作为第二二维材料的光电转换元件可以具有0.296eV的有效带隙，并可以接收MWIR区域中的光并将该光转换为电信号。根据关于有效带隙的设计和调整的需要，重复堆叠晶格堆叠的次数可以设定为3至100次。图9是根据一些示例实施方式的光电转换元件110的示意图。参照图9，光电转换元件110还可以包括在基板上的缓冲层BL和形成在晶格堆叠的上表面上的钝化层PV。缓冲层BL可以是具有与第一晶格堆叠ST1的特性类似的特性的电子导电层。缓冲层BL可以由具有第一晶格堆叠ST1的空穴导电层的能级的材料形成。例如，缓冲层BL可以由二维TMD材料形成。缓冲层BL可以根据需要通过结合多个层或逐渐转变材料组成来形成。缓冲层BL不限于特定材料，而是可以由各种材料形成。钝化层PV可以形成在晶格堆叠的上表面上以保护光电转换元件110免受外部物理或化学损伤。例如，钝化层PV可以包封晶格堆叠以限制和或防止其氧化。钝化层PV可以由氧化物层、聚酰亚胺、环氧树脂和硅弹性体中的至少一种形成。图10是根据一些示例实施方式的光电转换元件120的示意图。参照图10，光电转换元件120可以包括多个晶格堆叠ST1'至STn'，该多个晶格堆叠ST1'至STn'还包括在第一有源层AL1与第二有源层AL2之间的阻挡层X。根据一些示例实施方式，所述多个晶格堆叠ST1'至STn'中的每个还可以包括在第一有源层AL1与第二有源层AL2之间的阻挡层X。阻挡层X可以形成在第一有源层AL1和第二有源层AL2之间以限制和或防止暗电流。例如，阻挡层X可以由二维层形成，但是不限于此。例如，阻挡层X可以由具有比第一有源层AL1和第二有源层AL2低的功函数的材料形成。阻挡层X可以是由导电材料例如金属材料形成的导电膜。阻挡层X的厚度可以基于第一有源层AL1的厚度和第二有源层AL2的厚度被适当地设定。例如，阻挡层X的厚度可以小于第一有源层AL1的厚度。例如，阻挡层X的厚度可以小于第二有源层AL2的厚度。图11是根据一些示例实施方式的光学传感器200的示意性透视图。光学传感器200可以包括多个光电转换元件100-1、100-2、100-3、100-4、100-5和100-6。光学传感器200可以包括根据如以上参照图1至图10所述的示例实施方式的上述光电转换元件中的一个或更多个。例如，光学传感器200可以包括接收IR区域中的光的多个光电转换元件从而用作IR传感器。与根据现有技术的硅CMOS图像传感器相比，根据一些示例实施方式的光学传感器200可以特别地接收IR区域中的光，因此，可以应用于感测IR区域的各种领域。例如，根据一些示例实施方式的光学传感器200可以广泛地用于各种应用领域，诸如但不限于生物技术、健康、人脸识别、指尖识别、虹膜扫描、夜视或灵敏度调节。在根据一些示例实施方式的光电转换元件和或光学传感器中，有效带隙可以通过使用二维材料的异质结结构来调整。根据一些示例实施方式的光电转换元件和光学传感器在包括IR区域的宽波长区域中具有高灵敏度。在根据一些示例性实施方式的光电转换元件和或光学传感器中，有效带隙可以通过调整二维材料的类型和厚度以及重复堆叠所述材料的次数来调整。因此，光电转换元件的设计可以容易修改并用于不同的应用。根据一些示例实施方式，光电转换元件和或光学传感器可以是高度抗氧化的。根据本公开的光电转换元件和光学传感器具有优异的生产率。应当理解，这里描述的实施方式应当仅以描述性的含义来考虑，而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述应当通常被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种改变，而没有脱离由权利要求书限定的精神和范围。本申请要求于2017年7月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0091607号的权益，其公开内容通过引用整体地结合于此。

权利要求：1.一种光电转换元件，包括：基板；和多个晶格堆叠，在所述基板上一个在另一个的顶部上重复堆叠并配置为具有有效带隙，其中所述多个晶格堆叠的每个包括第一有源层和在所述第一有源层上的第二有源层，所述第一有源层包括具有第一带隙的第一二维材料，以及所述第二有源层包括具有不与所述第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述多个晶格堆叠形成多量子阱结构。3.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述多个晶格堆叠的所述有效带隙基于所述第一有源层的厚度。4.根据权利要求3所述的光电转换元件，其中所述多个晶格堆叠的所述有效带隙基于所述第二有源层的厚度。5.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述第一有源层的厚度不同于所述第二有源层的厚度。6.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述第一有源层的厚度和所述第二有源层的厚度每个在从1.0nm至3.5nm的范围内。7.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述多个晶格堆叠的所述有效带隙基于所述第一二维材料的类型并基于所述第二二维材料的类型。8.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述第一二维材料和所述第二二维材料每个独立地包括IV族过渡金属硫族化合物材料、V族过渡金属硫族化合物材料和VI族过渡金属硫族化合物材料中的一种。9.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述第一二维材料和所述第二二维材料每个独立地包括MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2、ZrS2、ZrSe2、HfS2、HfSe2、SnS2、SnSe2、VSe2、VTe2、VS2、VSe2、VTe2、NBS2、NBSe2、NBTe2、TaS2、TaSe2、TaTe2、TiS2、TiSe2、HiTe2、HfTe2、MoTe2和WTe2中的一种。10.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述第一二维材料和所述第二二维材料中的每个独立地包括钙钛矿、金属卤化物、石墨碳和石墨烯中的一种。11.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述多个晶格堆叠的所述有效带隙基于所述多个晶格堆叠中重复晶格堆叠的数量。12.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中一个在另一个的顶部上重复堆叠的所述多个晶格堆叠的数量在3至100的范围内。13.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述多个晶格堆叠中的至少一个还包括在所述第一有源层与所述第二有源层之间的阻挡层。14.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中所述多个晶格堆叠的所述有效带隙对应于红外区域。15.根据权利要求1所述的光电转换元件，还包括：在所述基板与所述多个晶格堆叠之间的缓冲层。16.根据权利要求1所述的光电转换元件，还包括：在所述多个晶格堆叠上的钝化层。17.一种光学传感器，包括：至少一个如权利要求1至16的其中之一所述的光电转换元件。

百度查询： 三星电子株式会社 光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器

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