申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2021-12-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN114513176B

主分类号：H03F3/45

分类号：H03F3/45;H03F3/19;H03F1/26;H03F1/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.06.03#实质审查的生效;2022.05.17#公开

摘要：本发明属于无线通信技术领域，提供一种基于共源共栅结构的改进的电容交叉耦合型跨导增强低噪声放大器，用以解决现有基于共源共栅结构的低噪声放大器存在的高频增益衰减和低频稳定性差的问题。本发明由差分共源共栅结构电路与改进的电容交叉耦合型跨导增强结构构成，通过在差分共源共栅结构的共栅管栅极和源极添加串联电感，调节交叉耦合电容反馈通路的阻抗，以及共栅管和共源管之间的匹配，使电容交叉耦合型跨导增强共源共栅结构在毫米波频端的增益显著提升；同时使用大的反馈电容，用电容引起的信号泄露提高共源共栅结构的稳定性。综上，本发明提供的改进的电容交叉耦合型跨导增强低噪声放大器具有更高的高频增益和更优的稳定性。

主权项：1.基于共源共栅结构的电容交叉耦合跨导增强低噪声放大器，包括：差分共源共栅结构电路，所述差分共源共栅结构电路包括：共源管M11、M12和共栅管M21、M22；其特征在于，所述低噪声放大器还包括：跨导增强结构，所述跨导增强结构由电容C1、C2和电感Lg1、Lg2、Ls1、Ls2组成；其中，所述电容C1连接于共栅管M21的栅极与共栅管M22的源极之间、电容C2连接于共栅管M22的栅极与共栅管M21的源极之间，所述电感Lg1与Lg2串联后连接于共栅管M21与M22的栅极之间，所述电感Ls1、Ls2分别连接于共源管M11的漏极与共栅管M21的源极之间、共源管M12的漏极与共栅管M22的源极之间；所述电容C1与C2的容值相同，所述电感Lg1与Lg2的感值相同，所述电感Ls1与Ls2的感值相同；所述电容交叉耦合跨导增强低噪声放大器工作在毫米波频段。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 基于共源共栅结构的电容交叉耦合跨导增强低噪声放大器

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