申请/专利权人：希烽光电科技(南京)有限公司;NANO科技(北京)有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117406472B

主分类号：G02F1/025

分类号：G02F1/025;G02F1/015

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.02.02#实质审查的生效;2024.01.16#公开

摘要：本发明公开了一种硅光调制器，包括由下向上依次堆叠的硅衬底、绝缘氧化物层、硅波导调制区、氮化硅波导和覆盖氧化物层，硅波导调制区沿第一方向依次包括n型重掺杂区、n型主掺杂区、p型主掺杂区和p型重掺杂区，氮化硅波导位于n型主掺杂区和p型主掺杂区的正上方，所述硅衬底上方为一层绝缘氧化硅，绝缘氧化硅上方为顶层硅，硅波导调制区位于顶层硅中；所述硅波导上方沉积材料，并刻蚀出氮化硅波导。优点，本发明的硅光调制器，通过在传统硅光调制器硅波导脊区上方沉积并刻蚀形成一段氮化硅波导，调整了硅光调制器中传输模式的光场分布，使得硅光调制器的损耗得到改善。

主权项：1.一种硅光调制器，其特征在于，包括由下向上依次堆叠的硅衬底、绝缘氧化物层（3）、硅波导调制区（2）、氮化硅波导（6）和覆盖氧化物层（1），所述硅波导调制区（2）沿第一方向依次包括n型重掺杂区（4）、n型主掺杂区（5）、p型主掺杂区（7）和p型重掺杂区（8），所述氮化硅波导（6）位于n型主掺杂区（5）和p型主掺杂区（7）的正上方，所述硅衬底上方为一层绝缘氧化硅，绝缘氧化硅上方为顶层硅，在顶层硅中刻蚀形成硅波导，所述硅波导为脊形波导，硅波导调制区（2）基于硅波导结构制作；所述硅波导上方沉积材料，并刻蚀出氮化硅波导（6），所述氮化硅波导（6）为窄波导，氮化硅波导（6）宽度小于下方硅波导脊区宽度；氮化硅波导（6）高度为100nm至300nm，氮化硅波导（6）宽度为50nm至200nm。

全文数据：

权利要求：

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