申请/专利权人：深圳大学

申请日：2023-12-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117735597A

主分类号：C01G19/00

分类号：C01G19/00;C01G15/00;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N27/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及气体传感器材料技术领域，尤其涉及一种SnS2In2O3纳米复合材料及其制备方法、气体传感器，制备方法包括步骤：利用铟盐和表面活性剂制备In2O3量子点溶液；将锡盐和硫源在水中进行混合，经水热反应后，得到的第二沉淀物与有机溶剂进行混合，得到SnS2纳米片溶液；将In2O3量子点溶液和SnS2纳米片溶液进行混合，得到SnS2In2O3纳米复合材料。将In2O3量子点溶液和SnS2纳米片溶液进行混合，通过在SnS2纳米片表面生长In2O3量子点作为气体传感器的传感材料，更有利于传感吸附脱附以及电子转移，纳米片结构可以提供丰富的吸附位点，提高导电性能。将该纳米复合材料用于制备传感膜时，其检测极限达到0.1ppm以下。

主权项：1.一种SnS2In2O3纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：将铟盐和表面活性剂进行混合，得到铟盐溶液；在惰性气氛下，将所述铟盐溶液在第一温度下进行搅拌处理，得到第一沉淀物；将所述第一沉淀物与有机溶剂进行混合，得到In2O3量子点溶液；将锡盐和硫源在水中进行混合，经水热反应后，得到第二沉淀物；将所述第二沉淀物与有机溶剂进行混合，得到SnS2纳米片溶液；将所述In2O3量子点溶液和所述SnS2纳米片溶液进行混合，得到SnS2In2O3纳米复合材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳大学 一种SnS₂/In₂O₃纳米复合材料及其制备方法、气体传感器

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