申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766467A

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种MV器件，在沿沟道长度的方向上，栅极导电材料层分成主体栅极导电材料层和边缘栅极导电材料层；主体栅极导电材料层位于中间区域，边缘栅极导电材料层位于主体栅极导电材料层的两侧且二者之间间隔有介质分割结构。沟道区位于栅极结构两侧的轻掺杂漏区之间半导体衬底的表面区域中。在栅极导电材料层的第一和第二侧面处，轻掺杂漏区还延伸到主体栅极导电材料层的底部，沟道区的全部区域都被主体栅极导电材料层覆盖，边缘栅极导电材料层和介质分割结构都位于轻掺杂漏区的顶部。本发明还公开了一种MV器件的制造方法。本发明能减少MV器件漏电流同时能使MV器件的速度得到保持。

主权项：1.一种MV器件，其特征在于，包括：栅极结构，所述栅极结构由形成于半导体衬底表面的栅介质层和栅极导电材料层叠加而成；侧墙，自对准在所述栅极导电材料层的各侧面；所述栅极导电材料层的第一侧面和第二侧面为位于沟道长度方向上的两个侧面；轻掺杂漏区，形成在所述栅极导电材料层的第一侧面和第二侧面外的所述半导体衬底中；源漏注入区，自对准形成在所述栅极导电材料层的第一侧面和第二侧面处的所述侧墙外的所述轻掺杂漏区的表面；在沿所述沟道长度的方向上，所述栅极导电材料层分成主体栅极导电材料层和边缘栅极导电材料层；所述主体栅极导电材料层位于中间区域，所述边缘栅极导电材料层位于所述主体栅极导电材料层的两侧且所述边缘栅极导电材料层和所述主体栅极导电材料层之间间隔有介质分割结构；所述栅极导电材料层的第一侧面和第二侧面由所述主体栅极导电材料层的两侧的所述边缘栅极导电材料层的外侧面组成；沟道区位于所述栅极结构两侧的所述轻掺杂漏区之间所述半导体衬底的表面区域中；在所述栅极导电材料层的第一侧面和第二侧面处，所述轻掺杂漏区还延伸到所述主体栅极导电材料层的底部，所述沟道区的全部区域都被所述主体栅极导电材料层覆盖，所述边缘栅极导电材料层和所述介质分割结构都位于所述轻掺杂漏区的顶部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 MV器件及其制造方法

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