申请/专利权人：新磊半导体科技(苏州)股份有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117758371A

主分类号：C30B29/68

分类号：C30B29/68;C30B29/40;C30B29/42;C30B25/18;H01L31/0352;H01L31/109

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明提供了一种生长InAsInAsSb二类超晶格结构的方法，涉及分子束外延生长技术领域，该方法包括：半绝缘GaAs衬底脱膜；在脱膜完毕的GaAs衬底上依次外延生长GaAs缓冲层，界面失配位错阵列界面层，GaSb缓冲层，In保护层，InAsInAsSb超晶格。该方法需要的缓冲层更薄，节省成本；生长的界面失配位错阵列界面层过程可控，避免过脱As现象，减少Ga滴产生，改善界面质量；In保护层使界面更加平整，提高探测工作温度，增加As稳定时间，提高超晶格的一致性和材料质量。

主权项：1.一种生长InAsInAsSb二类超晶格结构的方法，其特征在于，所述结构自下而上依次包括：半绝缘GaAs衬底，GaAs缓冲层，界面失配位错阵列界面层，GaSb缓冲层，In保护层，InAsInAsSb超晶格；所述方法利用分子束外延进行外延生长，所述方法包括步骤如下：在所述半绝缘GaAs衬底上进行脱膜得到脱膜完毕的半绝缘GaAs衬底；在所述脱膜完毕的半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；在所述GaAs缓冲层上外延生长界面失配位错阵列界面层；在所述界面失配位错阵列界面层上外延生长GaSb缓冲层；在所述GaSb缓冲层上外延生长In保护层；在所述In保护层上外延生长InAsInAsSb超晶格。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 新磊半导体科技(苏州)股份有限公司 一种生长InAs/InAsSb二类超晶格结构的方法

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