申请/专利权人：厦门大学

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766648A

主分类号：H01L33/04

分类号：H01L33/04;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明公开了一种绿光mini‑LED及其制备方法，外延结构由下至上包括衬底、AlN缓冲层、无意掺杂u‑GaN层、n‑AlxGa1‑xN层、InGaNGaN超晶格层、绿光多量子阱发光层和p型层；所述外延结构通过台面蚀刻至裸露n‑AlxGa1‑xN层，n电极和p电极分别设于n‑AlxGa1‑xN层和p型层上。本发明通过低电阻率n‑AlGaN层的设计，在不影响绿光多量子阱质量以及内量子效率IQE的前提下，由于串联电阻的减小以及更加均匀的电流分布，采用n‑AlGaN层的绿光微型led的正向电压降低，而LOP和WPE得到了显著提高。

主权项：1.一种绿光mini-LED，其特征在于：外延结构由下至上包括衬底、AlN缓冲层、无意掺杂u-GaN层、n-AlxGa1-xN层、InGaNGaN超晶格层、绿光多量子阱发光层和p型层；所述外延结构通过台面蚀刻至裸露n-AlxGa1-xN层，n电极和p电极分别设于n-AlxGa1-xN层和p型层上；其中所述n-AlxGa1-xN层的Al含量为0.02≤x≤0.05，Si掺杂的载流子浓度为3×1019cm-3～6.3×1019cm-3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门大学 一种绿光mini-LED及其制备方法

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