申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117525237B

主分类号：H01L33/32

分类号：H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明公开了一种绿光Micro‑LED外延片及其制备方法、绿光Micro‑LED，所述绿光Micro‑LED外延片包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述发光层包括依次层叠在所述低温应力释放层上的InGaNGaN阱前多量子阱子层、InGaNGaN绿光多量子阱子层和阱后多量子阱子层；所述阱后多量子阱子层为周期性结构，每个周期包括InGaN阱层和复合垒层。实施本发明，能够提高绿光Micro‑LED的发光效率和发光波长均匀性。

主权项：1.一种绿光Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、发光层、电子阻挡层和P型半导体层；所述发光层包括依次层叠在所述低温应力释放层上的阱前多量子阱子层、绿光多量子阱子层和阱后多量子阱子层；所述阱前多量子阱子层为周期性结构，周期数为3~6，每个周期包括第一InGaN阱层和第一GaN垒层；所述绿光多量子阱子层为周期性结构，周期数为5~9，每个周期包括第二InGaN阱层和第二GaN垒层；所述阱后多量子阱子层为周期性结构，周期数为1~3，每个周期的阱层包括第三InGaN阱层或第四InGaN阱层，每个周期的垒层包括第一复合垒层或第二复合垒层，所述第一复合垒层和第二复合垒层均包括依次层叠的第三GaN垒层、第一AlGaN垒层和第四GaN垒层；所述第一InGaN阱层的In组分占比、所述第三InGaN阱层的In组分占比和所述第四InGaN阱层的In组分占比均小于所述第二InGaN阱层的In组分占比。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 绿光Micro-LED外延片及其制备方法、绿光Micro-LED

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