申请/专利权人：中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766619A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/0725;H01L31/073

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.26#公开

摘要：本发明提供了一种覆板配置的p‑掺杂CdTe基薄膜太阳能电池装置的制备方法，至少包括，提供衬底、形成前电极、形成吸收层和形成背电极。形成吸收层的步骤至少包括交替沉积第一和第二吸收层材料的层，其中第一吸收层材料为CdSe，第二吸收层材料为CdTe。掺杂源层包含至少一种第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自V族元素，所述掺杂源层沉积在第一和第二吸收层材料的至少一个界面处。通过沉积p‑掺杂的背电极材料形成背电极。本发明还提供了一种p‑掺杂CdTe基薄膜太阳能电池装置。

主权项：1.一种覆板配置的p-掺杂CdTe基薄膜太阳能电池装置的制备方法，其至少包括：提供衬底、形成前电极、形成吸收层和形成背电极，其中，所述形成吸收层的步骤至少包括，交替沉积第一吸收层材料的层和第二吸收层材料的层，其中所述第一吸收层材料为CdSe，所述第二吸收层材料为CdTe；其中，掺杂源层包含至少一种第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自V族元素，所述掺杂源层沉积在所述第一吸收层材料和第二吸收层材料的至少一个界面处；其中，所述背电极是通过沉积p掺杂背电极材料形成的，所述背电极材料包括第二掺杂元素。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司 P-掺杂cdTe基薄膜太阳能电池装置的制备方法

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