申请/专利权人：中国人民解放军空军工程大学

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117760687A

主分类号：G01M9/08

分类号：G01M9/08;G01M15/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：提供一种基于等离子体合成射流阵列激励促进凹腔掺混增强的实验模型。在凹腔前缘的上游布置壁面切应力传感器，在凹腔后立面上布置壁面切应力传感器，在凹腔的底面布置动态压力传感器。通过对不同行或列的等离子体合成射流激励器施加幅值和相位调制，实现行波驻波激励方法，对凹腔掺混进行智能增强。首先，随机初始化若干组激励参数并评估流动控制收益；其次，构建代理模型，借助智能寻优算法预测最佳激励参数组合；最后，反向解算电源放电触发信号序列，通过迭代测试提升收益。本发明的等离子体合成射流行波驻波激励方法穿透深度更高，掺混能力更强，适应性更好、更智能，更能满足超燃冲压发动机宽广工作边界下火焰稳定燃烧的需求。

主权项：1.一种用于等离子体合成射流阵列激励促进凹腔掺混增强的凹腔实验模型，该模型整体外观呈矩形体，在凹腔的上游布置有Nx×Ny个等离子体合成射流激励器组成的矩阵，该矩阵沿凹腔上表面的中心线方向对称布置，Nx和Ny分别为行数和列数；等离子体合成射流激励器埋在凹腔内部，通过靠近凹腔上表面的一个射流小孔向超音速来流施加强扰动；其特征在于，等离子体合成射流激励器射流的方向不做限制；并且1在凹腔前缘的上游布置一列壁面切应力传感器，其沿凹腔上表面展向对称均匀分布，位于等离子体合成射流阵列之后，传感器在展向上的布置范围应与等离子体合成射流激励器阵列相当；2在凹腔后立面上布置一行壁面切应力传感器，其沿凹腔后立面流向中心线均匀布置；3在凹腔的底面沿流向中轴线布置一行动态压力传感器，动态压力传感器沿流向均匀分布。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国人民解放军空军工程大学 基于等离子体合成射流行波驻波激励的凹腔掺混增强方法

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