申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2022-07-08

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN114977762B

主分类号：H02M1/38

分类号：H02M1/38;H02M1/08

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开

摘要：本发明属于功率集成电路技术领域，具体的说是涉及一种基于斜率检测的死区时间产生电路。本电路通过感应开关节点SW的变化斜率，检测SW节点电压发生变化的时间，生成相应的死区时间。通过感应计算出SW节点电压斜率经过两次零点的时间，就可以产生精确代表死区时间的窄脉冲，可以通过后续方法方便的处理这一窄脉冲，生成相应的带死区时间的信号。

主权项：1.一种基于斜率检测的死区时间产生电路，其特征在于，包括斜率检测模块、死区时间生成模块；定义功率管的输出节点为SW节点，同时SW节点作为斜率检测模块的输入节点，定义与SW节点呈固定电位差的电源轨为VB节点；所述斜率检测模块包括第一齐纳管、第一电阻、第一PMOS管、第一NMOS管、第一三极管以及第一LDMOS管，SW节点连接到第一齐纳管的阳极，第一齐纳管的阴极连接到第一电阻的第一端口以及第一三极管的基极；第一电阻的第二端口与VB节点相连，VB节点与第一PMOS管的源级相连；第一PMOS管的栅极与漏级相连并且连接到第一三极管的集电极；第一三极管的发射极与第一LDMOS管的漏级相连；第一LDMOS管的栅极与输入偏置电压vbias节点相连，源级与第一NMOS管的漏级和栅极相连并且作为斜率检测模块的输出；第一NMOS管的源级与模拟地相连；所述死区时间生成模块包括第二NMOS管、第三NMOS管、第二电阻、第三电阻以及第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器；第二NMOS管和第三NMOS管的栅极作为死区时间生成模块的输入与斜率检测模块的输出相连；第二NMOS的源级连接到地，漏级与第二电阻的第一端口相连，并且漏级输出依次经过第一反相器、第二反相器输出SW节点的下降沿死区时间；第二电阻的第二端口连接到模拟电源；第三NMOS的源级连接到地，漏级与第三电阻的第一端口相连，并且漏级输出依次经过第三反相器、第四反相器、第五反相器输出SW节点的上升沿死区时间；第三电阻的第二端口连接到模拟电源。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种基于斜率检测的死区时间产生电路

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