申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-01-17

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117791069A

主分类号：H01P1/208

分类号：H01P1/208;H01P1/203

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种基于TSV的双层四阶交叉耦合SIW滤波器，自上而下依次包括：第一金属层，包括输入端口和输出端口；第一衬底层，包括多个第一通孔，多个第一通孔形成第一谐振腔与第二谐振腔，二者通过共用的侧壁窗口产生磁耦合；第二金属层，包括第一凹槽和第二凹槽；第二衬底层，包括多个第二通孔，多个第二通孔形成第三谐振腔与第四谐振腔，二者通过共用的侧壁窗口产生磁耦合，第一凹槽用于在第一谐振腔与第三谐振腔之间引入电耦合，第二凹槽用于在第二谐振腔与第四谐振腔之间引入磁耦合；位于第二衬底层远离第二金属层一侧的第三金属层。SIW滤波器可利用三维集成电路和硅基垂直通孔技术实现，成为无源器件小型化和集成化的良好候选者。

主权项：1.一种基于TSV的双层四阶交叉耦合SIW滤波器，其特征在于，包括：第一金属层，包括输入端口和输出端口；第一衬底层，位于所述第一金属层的一侧，包括多个第一通孔，所述多个第一通孔形成第一谐振腔与第二谐振腔，且所述第一谐振腔与所述第二谐振腔通过共用的侧壁窗口产生磁耦合；第二金属层，位于所述第一衬底层远离第一金属层的一侧，包括第一凹槽和第二凹槽；第二衬底层，位于所述第二金属层远离第一衬底层的一侧，包括多个第二通孔，所述多个第二通孔形成第三谐振腔与第四谐振腔，且所述第三谐振腔与所述第四谐振腔通过共用的侧壁窗口产生磁耦合，所述第一凹槽用于在第一谐振腔与第三谐振腔之间引入电耦合，所述第二凹槽用于在第二谐振腔与第四谐振腔之间引入磁耦合；第三金属层，位于所述第二衬底层远离第二金属层的一侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 基于TSV的双层四阶交叉耦合SIW滤波器

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