申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2019-10-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN110707425B

主分类号：H01Q1/38

分类号：H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/28;H01Q5/307;H01Q13/10;H01Q13/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.02.18#实质审查的生效;2020.01.17#公开

摘要：本发明公开了一种基于SIW的大频率比背腔天线，包括介质基板、四个辐射贴片、两个微带馈线、若干金属圆柱；四个辐射贴片和两个微带馈线设在介质基板上表面，其中一个辐射贴片上开有一个空位，其两端分别连接两个微带馈线，其余三个辐射贴片并排置于该空位中，中间的那个辐射贴片开有多条条形缝隙及一个半圆形缝隙，金属圆柱穿过介质基板分布在第三辐射贴片周围和空位四周。本发明具有高增益、体积小、辐射效率高、辐射特性好、可与电路集成的特点，可同时工作于微波和毫米波频段，既能满足现在低频段的通信需求，又能满足未来毫米波通信的需求。

主权项：1.一种基于SIW的大频率比背腔天线，其特征在于：包括介质基板、第一辐射贴片、第二辐射贴片、第三辐射贴片、第四辐射贴片、第一微带馈线、第二微带馈线、同轴馈线和若干金属圆柱；所述第一辐射贴片、第二辐射贴片、第三辐射贴片、第四辐射贴片、第一微带馈线和第二微带馈线设在介质基板的上表面；所述第一微带馈线和第二微带馈线分别位于第一辐射贴片的两端，并与该第一辐射贴片相连，且所述第一微带馈线和第二微带馈线的两边均开有缝隙，用于改善馈电处的阻抗匹配；所述第一辐射贴片上开有一个空位，所述第二辐射贴片、第三辐射贴片和第四辐射贴片从第一微带馈线往第二微带馈线的方向依次排布在该空位内；所述第三辐射贴片为缝隙辐射贴片，其上开有多条条形缝隙，用于实现贴片辐射，其中间开有一个半圆形缝隙，所述同轴馈线位于该半圆形缝隙中，使得同轴馈线与第三辐射贴片之间变成耦合馈电，从而提高天线阻抗匹配；所述金属圆柱穿过介质基板分布在第三辐射贴片周围和空位四周；所述第一微带馈线和第二微带馈线分别连接第一辐射贴片两短边的中间部位，所述第一辐射贴片、第二辐射贴片、第三辐射贴片和第四辐射贴片同一中心线，且该中心线经过第一辐射贴片的短边及第二辐射贴片与第四辐射贴片的长边。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种基于SIW的大频率比背腔天线

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD