申请/专利权人：西安迈驰半导体科技有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790556A

主分类号：H01L29/74

分类号：H01L29/74;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/417;H01L27/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及一种用于ESD保护的低容低钳位纵向SCR器件，包括N型硅衬底，N型硅衬底的正面形成有P型外延层，背面形成有背面金属层，在其内部还设有深槽金属连接孔；深槽金属连接孔内均填充有金属铝，且其一端与背面金属层相接，另一端深入P型外延层内，形成短路孔结构；P型外延层上设置有N型外延层，P型外延层和N型外延层之间设置有N型埋层；N型外延层上形成有P型重掺杂区和隔离深沟槽；隔离深沟槽依次穿过N型埋层和P型外延层，深入至N型硅衬底内；P型重掺杂区与正面金属层相接；P型重掺杂区和N型外延层上形成有介质层。本发明结构简单、成本低、ESD和浪涌防护能力强，满足应用的需求。

主权项：1.一种用于ESD保护的低容低钳位纵向SCR器件，其特征在于：包括N型硅衬底101，所述N型硅衬底101的正面形成有P型外延层102，背面形成有背面金属层110，在其内部还间隔设有多个深槽金属连接孔109；多个深槽金属连接孔109内均填充有金属铝，且其一端与背面金属层110相接，另一端伸出N型硅衬底101正面，深入P型外延层102内，形成短路孔结构；所述P型外延层102上设置有N型外延层104，所述P型外延层102和N型外延层104之间设置有N型埋层103；所述N型外延层104上形成有P型重掺杂区105，以及位于P型重掺杂区105两侧的隔离深沟槽106；所述隔离深沟槽106向下延伸，依次穿过N型埋层103和P型外延层102，深入至N型硅衬底101内；所述P型重掺杂区105与正面金属层108相接；所述P型重掺杂区105和N型外延层104上形成有介质层107，所述介质层107位于正面金属层108周围。

全文数据：

权利要求：

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