申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790527A

主分类号：H01L27/15

分类号：H01L27/15;H01L33/58;H01L33/00;G09F9/33

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种Micro‑LED显示器件及其制造方法，所述制造方法包括：首先在驱动背板上构造独立的物理隔离的像素台阶，再通过EBL和ICP刻蚀工艺在像素四周形成周期性排列的光子晶体结构，利用光子晶体周期对匹配的特定波长光线的约束，解决光线的横向逸出问题，提高发光效率，降低像素间光线串扰；进一步配合高温氧化工艺在像素点四周形成一定扩散深度的高温氧化区域，通过高温氧化工艺对受到刻蚀损伤的像素侧壁进行修复，以减少非辐射复合现象，进一步提升器件光效。本发明可降低Micro‑LED尺寸效应带来的影响，提升Micro‑LED器件发光效率，有利于降低器件功耗，提高使用寿命。

主权项：1.一种Micro-LED显示器件，包括驱动背板10，驱动背板10上均匀分布有像素台阶30，其特征在于，像素台阶30上具有光子晶体结构，所述光子晶体结构自像素台阶30各边向像素中心呈周期排布，用于对匹配的特定波长光线进行约束，降低像素之间的光线串扰。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种Micro-LED显示器件及其制造方法

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