申请/专利权人：无锡中微亿芯有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117789795A

主分类号：G11C16/30

分类号：G11C16/30;G11C16/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及一种基于可变阻值电阻的FPGA用非易失性DFF。其包括：DFF功能单元体，包括锁存单元以及与所述锁存单元适配连接的可变阻值电阻单元，所述锁存单元与所述非易失性DFF的数据输入端口以及数据输出端对应连接；时序信号电路，接收工作指令信号，并基于所接收的工作指令信号配置DFF功能单元体的操作状态，其中，所配置DFF功能单元体的操作状态包括电形成操作、Reset复位操作、DFF功能、数据保存操作SET和或数据恢复操作RES；本发明基于可变阻值电阻实现非易失性DFF，与现有CMOS工艺兼容，降低写入的时间。

主权项：1.一种基于可变阻值电阻的FPGA用非易失性DFF，其特征是，所述非易失性DFF包括：DFF功能单元体，包括锁存单元以及与所述锁存单元适配连接的可变阻值电阻单元，所述锁存单元与所述非易失性DFF的数据输入端口以及数据输出端对应连接，其中，所述锁存单元至少包括两个适配连接的锁存电路，可变阻值电阻单元至少包括两个可变阻值电阻，一锁存电路至少与一个可变阻值电阻适配连接；时序信号电路，接收工作指令信号，并基于所接收的工作指令信号配置DFF功能单元体的操作状态，其中，所接收的工作指令信号包括时钟信号CK、置位信号SEB、成形信号FOM、数据保存信号SET、数据恢复信号RES以及可变阻值电阻复位信号RET，所配置DFF功能单元体的操作状态包括电形成操作、Reset复位操作、DFF功能、数据保存操作SET和或数据恢复操作RES；基于成形信号FOM、编程电压PHV以及置位信号SEB，对DFF功能单元体内所有的可变阻值电阻进行电形成操作，以在电形成操作后，配置所有的可变阻值电阻处于低阻态LRS状态；基于数据输入端口加载的数据DATA、时钟信号CK、可变阻值电阻复位信号RET以及置位信号SEB，依次将可变阻值电阻单元内的可变阻值电阻进行Reset复位操作，以在Reset复位操作后，使得可变阻值电阻单元内相应的可变阻值电阻恢复处于高阻态HRS状态；DFF功能单元处于DFF功能时，基于时钟信号CK，采集数据输入端口加载的数据DATA并经数据输出端输出，且置位信号SEB有效时，将数据输出端配置为置位状态；基于数据保存信号SET、置位信号SEB以及编程电压PHV，对可变阻值单元进行数据保存操作SET，以在数据保存操作SET后，将数据输出端的输出状态利用一可变阻值电阻存储；利用可变阻值电阻单元对数据输出端的输出状态存储后，基于数据恢复信号RES以及置位信号SEB，对可变电阻单元进行数据恢复操作RES，以在数据恢复操作RES后，将相应可变阻值电阻存储数据输出端的输出状态恢复到所适配连接的锁存电路内。

全文数据：

权利要求：

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