申请/专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所

申请日：2023-10-31

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790498A

主分类号：H01L27/02

分类号：H01L27/02;H02H9/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明提供了一种耐负压ESD防护电路，包括栅串联电阻和深N阱结构的NMOS管。在芯片正常工作时，由于NMOS管的栅极没有电位处于关断状态；当正向ESD事件发生时，电路通过寄生的NPN结构泄放ESD电流；当负向ESD事件发生时，电路同样通过寄生的NPN结构泄放ESD电流。当芯片端口接入负压时，由于NMOS管的P衬没有直接与地电位连接，因此芯片内部不会向端口倒灌电流。本发明电路可以有效泄放ESD电流实现对内部电路的保护，还可以防止管脚出现负压时从芯片地流向管脚的倒灌电流，满足端口耐负压的要求。

主权项：1.一种耐负压ESD防护电路，其特征在于，包括位于IOPAD和GND之间的泄放单元和位于泄放单元和GND之间的辅助单元；泄放单元NMOS管N1为深N阱器件，包括漏极、栅极、源极、P型衬底和阱电位共5个引出端，NMOS管N1的漏极与IOPAD相接，栅极与电阻R1相连，源极与电阻R1和衬底相连，阱电位连接至GND；辅助单元电阻R1一端与NMOS管N1的栅极相接，一端与NMOS管N1的源极和衬底相接，用于在ESD事件发生时耦合一个电压到NMOS管N1的栅极，提前开启NMOS管N1管沟道，辅助NMOS管N1漏衬结的雪崩击穿，加速ESD电流泄放。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所 一种耐负压ESD防护电路

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