申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878854A

主分类号：H02H9/04

分类号：H02H9/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及集成电路及芯片领域，提供一种ESD保护电路及芯片。ESD保护电路包括控制信号输入单元、RC延时单元以及泄放单元，泄放单元包括至少两种ESD泄放路径，控制信号输入单元用于根据输入的芯片通电状态信号控制泄放单元开启对应的ESD泄放路径进行ESD泄放，RC延时单元用于产生使泄放单元开启ESD泄放的RC时间常数。本发明针对断电和上电后两种状态设计不同的ESD保护，可以根据不同的应用场景切换不同ESD泄放方式，消除ESD上电过程中因毛刺导致的误触发事件的发生，解决上电过程中因ActiveClamp钳位电压抬高导致的NMOS泄放管源漏跨压过大、功耗过大的问题。

主权项：1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括：控制信号输入单元、RC延时单元以及泄放单元；所述泄放单元包括至少两种ESD泄放路径；所述控制信号输入单元用于根据输入的芯片通电状态信号控制所述泄放单元开启对应的ESD泄放路径进行ESD泄放；所述RC延时单元用于产生使泄放单元开启ESD泄放的RC时间常数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 ESD保护电路及芯片

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD