申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2019-12-06

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114747109B

主分类号：H02H9/04

分类号：H02H9/04;H02H9/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.07.29#实质审查的生效;2022.07.12#公开

摘要：本申请实施例提供一种静电泄放ESD保护电路，用于降低CDM模型下内部电路被静电损坏的几率。该ESD保护电路包括与IO口引脚和内部电路耦合的两级泄放电路，以及第一电源钳位电路和第二电源钳位电路。其中，第一电源钳位电路与电源轨和接地轨电连接以泄放一部分电流至地，第二电源钳位电路与第二级泄放电路和接地轨电连接，从而使得另一部分电流通过第二电源钳位电路泄放至地。上述ESD保护电路将IO引脚产生的大电流分流并泄放至地，降低了ESD发生时内部电路的输入节点电压，使得内部电路被静电损坏的几率降低。

主权项：1.一种静电泄放ESD保护电路，其特征在于，所述ESD保护电路包括：第一级泄放电路，分别与IO引脚、电源轨和接地轨电连接；第一电源钳位电路，分别与所述电源轨和所述接地轨电连接；第二级泄放电路，分别与第二电源钳位电路、被保护电路和接地轨电连接；以及所述第二电源钳位电路，分别与所述第二级泄放电路和所述接地轨电连接；所述第二电源钳位电路包括第一RC电源钳位电路，所述第一RC电源钳位电路的泄放管为NMOS泄放管，其中：串联的延时电阻和延时电容，其中所述延时电阻的第一端与所述电源轨电连接，所述延时电阻的第二端与所述延时电容的第一端电连接于第一节点，所述延时电容的第二端与所述接地轨电连接；反相器连接的第一MOS管和第二MOS管，其中所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极分别与所述第一节点电连接，所述第一MOS管的源极或漏极中的一极与所述电源轨电连接，另一极与所述第二MOS管的一极电连接于第三节点，所述第二MOS管的另一极与所述接地轨电连接，所述第一MOS管和所述第二MOS管为互补类型的两个MOS管；所述泄放管，其中所述泄放管的栅极与所述第三节点电连接，所述泄放管的源极或漏极与所述第二级泄放电路电连接，另一极与所述接地轨电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华为技术有限公司 一种ESD保护电路

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