申请/专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司

申请日：2023-12-31

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790642A

主分类号：H01L31/20

分类号：H01L31/20;H01L31/0747

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及异质结电池制备技术领域，尤其涉及一种双面微晶的异质结电池的制备方法及采用其制成的电池，包括：选择晶硅片，对其进行制绒，作为晶硅衬底；在晶硅衬底正面和背面分别制备本征非晶硅薄膜层；在晶硅衬底正面的本征非晶硅薄膜层的顶面制备N型微晶硅掺杂层；在晶硅衬底背面的本征非晶硅薄膜层的底面制备P型微晶硅掺杂层；分别在N型微晶掺杂层的顶面和P型微晶硅掺杂层的底面制备透光导电层；在透光导电层的表面上印制电极；以及在P型微晶硅掺杂层和晶硅衬底背面的本征非晶硅薄膜层底面之间制备过渡层。

主权项：1.一种双面微晶的异质结电池的制备方法，其特征在于，包括：选择晶硅片，对其进行制绒，作为晶硅衬底；在晶硅衬底正面和背面分别制备本征非晶硅薄膜层；在所述晶硅衬底正面的本征非晶硅薄膜层的顶面制备N型微晶硅掺杂层；在所述晶硅衬底背面的本征非晶硅薄膜层的底面制备P型微晶硅掺杂层；分别在所述N型微晶掺杂层的顶面和所述P型微晶硅掺杂层的底面制备透光导电层；在所述透光导电层的表面上印制电极；以及在P型微晶硅掺杂层和晶硅衬底背面的本征非晶硅薄膜层底面之间制备过渡层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 常州捷佳创精密机械有限公司 双面微晶的异质结电池的制备方法及采用其制成的电池

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD