申请/专利权人：联瑞新材(连云港)有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117777764A

主分类号：C09C1/30

分类号：C09C1/30;C09C3/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种HDI用超低切断点球形硅微粉的制备方法。所述方法包括以下步骤：（1）选用D50=1~15μm、D100=10~50μm的火焰法球形硅微粉为原料；（2）将水与火焰法球形硅微粉按比例混合，高速搅拌和超声处理下得到浆料A；（3）将浆料A沉降，吸出上层浆料得到产品B；（4）将产品B在离心，离心后的上层膏状物经脱水后得到产品C；（5）将产品C解聚，得到D100≤6μm的球形硅微粉。本发明方法简单易行，以常见的火焰法微米级球硅为原料，依次进行制浆、沉降、离心、解聚步骤，获得D100≤6μm、高纯度、高球形度的球形硅微粉，满足高端HDI应用领域对于填料最大尺寸的要求。

主权项：1.HDI用超低切断点球形硅微粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）原料优选：选用D50=1~15μm、D100=10~50μm的火焰法球形硅微粉为原料；（2）制浆：将水与火焰法球形硅微粉按质量比为0.5~5:1混合，1500~3000rmin高速搅拌和18000~20000HZ超声处理下得到浆料A；（3）沉降：将浆料A沉降5~20h，沉降后将上层浆料吸出得到产品B；（4）离心：将产品B在3000~5000rmin转速下离心，进行固液分离，离心后的上层膏状物经脱水后得到产品C；（5）解聚：将产品C进行解聚得到D100≤6μm的球形硅微粉。

全文数据：

权利要求：

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