申请/专利权人：国际商业机器公司

申请日：2022-09-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795659A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/528;H01L29/786

优先权：["20210929 US 17/488,389"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：集成芯片和形成集成芯片的方法，包括在衬底之上形成层堆叠，该层堆叠包括在第一牺牲层之上的器件堆叠。用第一蚀刻停止层替换第一牺牲层。移除衬底，暴露层堆叠的衬底侧。蚀刻层堆叠的衬底侧以形成沟槽，沟槽停止在第一蚀刻停止层上。在沟槽中形成导电线。

主权项：1.一种形成集成芯片的方法，包括：在衬底上形成层堆叠，所述层堆叠包括在第一牺牲层上的器件堆叠；用第一蚀刻停止层替换所述第一牺牲层；移除所述衬底，暴露所述层堆叠的衬底侧；蚀刻所述层堆叠的所述衬底侧以形成沟槽，在所述第一蚀刻停止层上停止；以及在所述沟槽中形成导电线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 国际商业机器公司 具有背面电源轨的集成电路

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