申请/专利权人：爱科赛智能科技(浙江)有限公司

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790635A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0232;H01L31/109;H01L31/0328

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种基于光栅结构的PZTMoS2异质结光电探测器的制备方法，包括如下步骤：步骤1、在氧化层硅片上旋涂光刻胶，在电极形状曝光后刻蚀光刻胶与氧化硅片复合结构；步骤2、刻蚀过程结束后，通过电子束蒸镀完成平面基底电极的制备；步骤3、将通过PDMS辅助机械剥离法获得的MoS2薄膜复合至电极上，并修饰转移后的单层MoS2薄膜；步骤4、将步骤3得到的样品再次旋涂光刻，并借助电子束光刻和电子束蒸镀完成网格状光栅的制备；步骤5、在步骤4得到的样品上旋涂PZT溶液，然后使其固化并修饰，得到成品。本发明可以提高探测器对光子的吸收效率，增强对光的探测能力。

主权项：1.一种基于光栅结构的PZTMoS2异质结光电探测器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在氧化层硅片上旋涂光刻胶，在电极形状曝光后刻蚀光刻胶与氧化硅片复合结构；步骤2、刻蚀过程结束后，通过电子束蒸镀完成平面基底电极的制备；步骤3、将通过PDMS辅助机械剥离法获得的MoS2薄膜复合至电极上，并修饰转移后的单层MoS2薄膜；步骤4、将步骤3得到的样品再次旋涂光刻，并借助电子束光刻和电子束蒸镀完成网格状光栅的制备；步骤5、在步骤4得到的样品上旋涂PZT溶液，然后使其固化并修饰，得到成品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱科赛智能科技(浙江)有限公司 一种基于光栅结构的PZT/MoS₂异质结光电探测器的制备方法

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