申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2024-02-02

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117791169A

主分类号：H01Q15/00

分类号：H01Q15/00;H01Q1/50

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种基于变容二极管的S波段可调谐有源频率选择表面，包括多个结构相同且周期排布的阵列单元，每个阵列单元均设有介质层、设于介质层顶面的第一金属层以及设于介质层底面的第二金属层，三者正对设置；介质层中心贯设有穿孔，穿孔内设有导线；第一金属层包括设于中央的方形金属片和设于边缘的方环形金属片，方形金属片和方环形金属片之间形成方环形缝隙，方环形缝隙间设有变容二极管，方形金属片和方环形金属片分别与变容二极管连接；第二金属层包括馈电网格以及设于馈电网格之间的定值电感；导线一端连接第一金属层的方形金属片，导线另一端连接第二金属层的馈电网格，相邻阵列单元的方环形金属片相连，相邻阵列单元的馈电网格相连。

主权项：1.一种基于变容二极管的S波段可调谐有源频率选择表面，其特征在于，包括多个结构相同且周期排布的阵列单元，每个阵列单元均设有介质层、设于介质层顶面的第一金属层以及设于介质层底面的第二金属层，第一金属层、介质层、第二金属层正对设置；介质层中心贯设有穿孔，穿孔内设有导线；第一金属层包括设于中央的方形金属片和设于边缘的方环形金属片，方形金属片和方环形金属片之间形成方环形缝隙，方环形缝隙间设有变容二极管，方形金属片和方环形金属片分别与变容二极管连接；第二金属层包括馈电网格以及设于馈电网格之间的定值电感；导线一端连接第一金属层的方形金属片，导线另一端连接第二金属层的馈电网格，相邻阵列单元的方环形金属片相连，相邻阵列单元的馈电网格相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 基于变容二极管的S波段可调谐有源频率选择表面

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