申请/专利权人：日新离子机器株式会社

申请日：2023-07-21

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790320A

主分类号：H01L21/425

分类号：H01L21/425;H01J37/317

优先权：["20220927 JP 2022-154177"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及提供一种可降低形成显示器的TFT的氧化物半导体膜的电阻值的离子束照射装置及离子束照射方法。离子束照射装置设为在显示器面板的制造步骤中使用，且对于具有氧化物半导体膜的照射对象物T照射包含既定的离子的离子束，该离子束照射装置具备将照射对象物T加热的加热装置30，且构成为在加热装置30将照射对象物T加热之后，以使得至少一部分的离子可贯通氧化物半导体膜的方式照射离子束IB。

主权项：1.一种离子束照射装置，在显示器面板的制造步骤中使用，且对于具有氧化物半导体膜的照射对象物照射包含既定的离子的离子束，该离子束照射装置具备将前述照射对象物加热的加热装置，且在前述加热装置将前述照射对象物加热之后，以使得至少一部分的前述离子可贯通前述氧化物半导体膜的方式照射前述离子束。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日新离子机器株式会社 离子束照射装置及离子束照射方法

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