申请/专利权人：华东师范大学;上海市计量测试技术研究院

申请日：2021-01-04

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN114717526B

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/20;C23C14/02;G01K7/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2022.07.26#实质审查的生效;2022.07.08#公开

摘要：本发明涉及热电偶技术领域，具体地说是一种超薄柔性热电偶及其制备方法。包括热电偶，其特征在于：所述的热电偶从下至上依次包括柔性衬底、铬膜、热电偶金属层、保护层，所述的热电偶金属层包括上下部分重叠的铜膜与康铜膜；其制备方法包括如下步骤：S1，在柔性衬底表面用气体等离子体或轰击柔性衬底表面；S2，采用磁控溅射系统在柔性衬底表面溅射铬膜；S3，采用磁控溅射系统在铬膜表面溅射铜膜；S4，采用磁控溅射系统在铬膜表面共溅射康铜膜；S5，在氮气气压下，在铜膜及康铜膜表面溅射保护层。同现有技术相比，成本较低，可以针对表面间隙小，测量面为非平面的表面，且需要接触式测温的柔性电子材料，并且可以测量零度以下的温度及瞬变温度。

主权项：1.一种超薄柔性热电偶及其制备方法，包括热电偶，其特征在于：所述的热电偶从下至上依次包括柔性衬底（1）、铬膜（2）、热电偶金属层、保护层（5），所述的热电偶金属层包括上下部分重叠的铜膜（3）与康铜膜（4）；其制备方法包括如下步骤：S1，在柔性衬底（1）表面用气体等离子体或轰击柔性衬底（1）表面；S2，采用磁控溅射系统在柔性衬底（1）表面溅射铬膜（2）；S3，采用磁控溅射系统在铬膜（2）表面溅射铜膜（3），溅射时通过定时器逐步提高溅射功率，以5-10分钟作为间隔时间，以40W-60W作为功率间隔，从50W逐渐调高功率至250W；S4，采用磁控溅射系统在铬膜（2）表面共溅射康铜膜（4），以高纯铜靶（6）和高纯镍靶（7）作为原子沉积源，分别控制两个靶材的电功率进行共溅射，使得铜原子（8）及镍原子（9）插层沉积在铬膜（2）表面；S5，在氮气气压下，采用掺杂的磁控溅射系统在铜膜（3）及康铜膜（4）表面溅射保护层（5）；所述的铜膜（3）与康铜膜（4）重叠部分的长度为3-10mm，宽度为0.5-3m；铬膜（2）的厚度为10-50nm。

全文数据：

权利要求：

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