申请/专利权人：中天弘宇集成电路有限责任公司

申请日：2023-04-18

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN116665739B

主分类号：G11C16/10

分类号：G11C16/10;G11C16/08;G11C16/24;G06F3/06

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2023.09.15#实质审查的生效;2023.08.29#公开

摘要：本发明提供一种存储器、闪存的数据写入电路及方法，包括：模拟电压产生模块，为各模块提供所需的电压；源极电压选择模块，用于提供源极电压；阱电压选择模块，用于为待写入数据的存储单元的阱电极提供负压；字线选通模块，用于为待写入数据的存储单元的字线提供第一正压；位线选通模块，用于为待写入数据的存储单元的位线提供第二正压。本发明的存储器、闪存的数据写入电路及方法对阱电极施加负压，并基于二次电子倍增注入浮栅实现写操作，可有效减小成本及存储器面积、提高集成度。

主权项：1.一种闪存的数据写入电路，其特征在于，所述闪存的数据写入电路至少包括：存储阵列，模拟电压产生模块，源极电压选择模块，阱电压选择模块，字线选通模块及位线选通模块；所述模拟电压产生模块连接所述源极电压选择模块、所述阱电压选择模块、所述字线选通模块及所述位线选通模块的输入端，为各模块提供所需的电压；所述源极电压选择模块连接所述存储阵列的源线，用于为待写入数据的存储单元的源极提供源极电压；其中，所述源极电压为0V或浮空设置；所述阱电压选择模块连接所述存储阵列的阱电极，用于为所述待写入数据的存储单元的阱电极提供负压；所述字线选通模块连接所述存储阵列的各字线，用于为所述待写入数据的存储单元的字线提供第一正压；其中，所述第一正压设置为4.5V～6.8V；所述位线选通模块连接所述存储阵列的各位线，用于为所述待写入数据的存储单元的位线提供第二正压；其中，所述第二正压设置为2V～3.5V。

全文数据：

权利要求：

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