申请/专利权人：QORVO美国公司

申请日：2019-05-30

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN112534553B

主分类号：H01L21/56

分类号：H01L21/56;H01L23/31;H01L27/12;H01L29/786

优先权：["20180702 US 62/692,945"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2022.07.22#著录事项变更;2021.06.25#实质审查的生效;2021.03.19#公开

摘要：本公开涉及一种射频装置，其包含：具有后段工艺部分和前段工艺部分的装置区、第一凸块结构、第一模制化合物，以及第二模制化合物。所述FEOL部分包含有源层、接触层和隔离区段。所述有源层和所述隔离区段位于所述接触层上方，且所述有源层由所述隔离区段围绕。所述BEOL部分形成于所述FEOL部分下方，且所述第一凸块结构和所述第一模制化合物形成于所述BEOL部分下方。每个第一凸块结构由所述第一模制化合物部分地囊封，且经由所述BEOL部分内的连接层电耦合到所述FEOL部分。所述第二模制化合物位于所述有源层上方而无硅材料，其电阻率介于5欧姆‑厘米与30000欧姆‑厘米之间。

主权项：1.一种设备，其包括：·装置区，其包含后段工艺BEOL部分和位于所述BEOL部分上方的前段工艺FEOL部分，其中：·所述BEOL部分包括多个连接层；·所述FEOL部分包括有源层、接触层和隔离区段；·所述隔离区段包括二氧化硅；以及·所述有源层和所述隔离区段位于所述接触层上方，其中所述隔离区段围绕所述有源层且在竖直上延伸超出所述有源层的顶表面以在所述隔离区段内且在所述有源层上方界定开口；·多个第一凸块结构，其形成于所述BEOL部分的底表面处，其中所述多个第一凸块结构经由所述多个连接层电耦合到所述FEOL部分；·第一模制化合物，其形成于所述BEOL部分的所述底表面上方且部分地囊封所述多个第一凸块结构中的每一个，其中所述多个第一凸块结构中的每一个的底部部分未被所述第一模制化合物覆盖；·额外层，其直接在所述有源层的所述顶表面上方且在所述开口内，其中所述额外层是由二氧化硅和氮化硅中的至少一者形成的钝化层，或者是由硅锗SiGe形成的界面层；以及·第二模制化合物，其位于所述额外层上方并且与所述额外层直接接触以填充所述开口，其中在所述第二模制化合物与所述有源层之间不存在没有锗含量的硅晶体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： QORVO美国公司 RF半导体装置及其制造方法

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