申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117525230B

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本发明公开一种Micro‑LED外延结构及其制备方法，多量子阱层包括第一量子阱层、第二量子阱层、电子束缚层和第三量子阱层；第一量子阱层为InxGa1‑xN层与Si重掺GaN层形成的周期性结构；第二量子阱层为InyGa1‑yN层与Si掺GaN层形成的周期性结构；电子束缚层包括依次生长的第一GaN层、AlGaN层和第二GaN层；第三量子阱层为Mg掺InzGa1‑zN层与第三GaN层形成的周期性结构。实施本发明，可提高Micro‑LED低工作电流密度的光效和良率等性能。

主权项：1.一种Micro-LED外延结构，包括衬底，其特征在于，还包括在所述衬底上依次层叠设置的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱层、电子阻挡层、P型半导体层，其中，所述多量子阱层包括由下至上依次层叠生长的第一量子阱层、第二量子阱层、电子束缚层和第三量子阱层；所述第一量子阱层为InxGa1-xN层与Si重掺GaN层形成的周期性结构，周期数为2~5；所述第二量子阱层为InyGa1-yN层与Si掺GaN层形成的周期性结构，周期数为3~8；所述电子束缚层包括依次生长的第一GaN层、AlGaN层和第二GaN层；所述第三量子阱层为Mg掺InzGa1-zN层与第三GaN层形成的周期性结构，周期数为1~2；其中，x≤y，z≤y，x与z相等或者不相等；每个周期中所述InxGa1-xN层位于所述Si重掺GaN层的下方，所述InxGa1-xN层的厚度为2.5nm~4nm，0.1≤x≤0.15，所述Si重掺GaN层的厚度为7.5nm~12nm，Si的掺杂浓度为1.8×1017cm3~1.2×1018cm3；每个周期中所述InyGa1-yN层位于所述Si掺GaN层的下方，所述InyGa1-yN层的厚度为2.5nm~4nm，0.13≤y≤0.21，所述Si掺GaN层的厚度为7.5nm~12nm，Si的掺杂浓度为1.2×1017cm3~8.6×1017cm3；所述电子束缚层中由下至上依次为第一GaN层、AlGaN层和第二GaN层，所述第一GaN层的厚度为2nm~6nm，所述AlGaN层的厚度为1nm~3nm，Al组分为0.2~0.6，所述第二GaN层的厚度为2nm~6nm；每个周期中所述Mg掺InzGa1-zN层位于所述第三GaN层的下方，所述Mg掺InzGa1-zN层的厚度为2.5nm~4nm，0.1≤z≤0.15，Mg元素的掺杂浓度为1.6×1018cm3~3×1019cm3，所述第三GaN层的厚度为9nm~16nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种Micro-LED外延结构及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD