申请/专利权人：江苏帝奥微电子股份有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117558334B

主分类号：G11C29/50

分类号：G11C29/50

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.29#授权;2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本发明公开了一种EEPROM单元的数据存储时间检测电路及方法，第一EEPROM单元的检测端与开关K1的一端和开关K2的一端连接，开关K1的另一端连接读取电路的第一输入端，开关K2的另一端连接第一检测电路的输出端并输出信号OUT1_DET,第二EEPROM单元的检测端与开关K3的一端和开关K4的一端连接，开关K3的另一端连接读取电路的第二输入端，开关K4的另一端连接第二检测电路的输出端并输出信号OUT2_DET。本发明采用双浮栅MOS管结构，检测电路使用电流检测，详细地反映出浮栅MOS管的状态，可以准确地判断EEPROM单元的数据存储时间。

主权项：1.一种EEPROM单元的数据存储时间检测电路，其特征在于：包含第一EEPROM单元、第二EEPROM单元、第一检测电路、第二检测电路、开关K1、开关K2、开关K3、开关K4和读取电路，第一EEPROM单元的检测端与开关K1的一端和开关K2的一端连接，开关K1的另一端连接读取电路的第一输入端，开关K2的另一端连接第一检测电路的输出端并输出信号OUT1_DET,第二EEPROM单元的检测端与开关K3的一端和开关K4的一端连接，开关K3的另一端连接读取电路的第二输入端，开关K4的另一端连接第二检测电路的输出端并输出信号OUT2_DET；所述第一检测电路包含检测电流源Idet1、检测电流源Idet2、开关K5和开关K6，检测电流源Idet1的一端和检测电流源Idet2的一端连接电源VDD，检测电流源Idet1的另一端与开关K5的一端连接，检测电流源Idet2的另一端与开关K6的一端连接，开关K5的另一端与开关K6的另一端连接并作为第一检测电路的输出端；所述第二检测电路包含检测电流源Idet3、检测电流源Idet4、开关K7和开关K8，检测电流源Idet3的一端和检测电流源Idet4的一端连接电源VDD，检测电流源Idet3的另一端与开关K7的一端连接，检测电流源Idet4的另一端与开关K8的一端连接，开关K7的另一端与开关K8的另一端连接并作为第二检测电路的输出端。

全文数据：

权利要求：

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