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【发明公布】一种产生双向动作电位的忆阻细胞神经元电路_常州大学_202311699699.0 

申请/专利权人:常州大学

申请日:2023-12-12

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117808060A

主分类号:G06N3/063

分类号:G06N3/063;G06N3/0464;G06N3/048

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:本发明涉及神经元电路技术领域,尤其涉及一种产生双向动作电位的忆阻细胞神经元电路,包括将细胞神经元模型中的线性电阻替换为忆阻,构建忆阻细胞神经元模型;通过调整忆阻细胞神经元模型中的双曲正切函数梯度值,产生不同状态的双向尖峰放电相轨特性。本发明解决现有神经元网络模型不具备双向动作电位能力,从而编码能力弱,无法执行复杂的计算和信息处理任务的问题。

主权项:1.一种产生双向动作电位的忆阻细胞神经元电路,其特征在于,包括:将细胞神经元模型中的线性电阻替换为忆阻,构建忆阻细胞神经元模型;通过调整忆阻细胞神经元模型中的双曲正切函数梯度值,产生不同状态的双向尖峰放电相轨特性。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 常州大学 一种产生双向动作电位的忆阻细胞神经元电路

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