申请/专利权人：佛山市国星半导体技术有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810323A

主分类号：H01L33/06

分类号：H01L33/06;H01L33/00;H01L33/32;C30B29/40;C30B33/02;C30B25/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种同时激发出双色光谱的外延结构及其制备方法，其中，多量子阱层包括依次生长于电子注入层上的第一量子层、第二量子层和第三量子层；第一量子层为3‑10个周期的Inx1Ga1‑x1N势阱层和Aly1Ga1‑y1N势垒层依次层叠的周期性结构，第二量子层为5‑20个周期的Inx2Ga1‑x2N势阱层和Aly2Ga1‑y2N势垒层依次层叠的周期性结构，第三量子层为5‑20个周期的Inx3Ga1‑x3N势阱层和Aly3Ga1‑y3N势垒层依次层叠的周期性结构，x1＞x2＞x3，y1＞y2＞y3。实施本发明，使得外延片同时具备发射两种不同色系的光谱。

主权项：1.一种同时激发出双色光谱的外延结构，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的AlGaN层、GaN层、电子注入层、多量子阱层、空穴注入层和欧姆接触层，其中，所述多量子阱层包括依次生长于所述电子注入层上的第一量子层、第二量子层和第三量子层；所述第一量子层为3-10个周期的Inx1Ga1-x1N势阱层和Aly1Ga1-y1N势垒层依次层叠的周期性结构，所述第二量子层为5-20个周期的Inx2Ga1-x2N势阱层和Aly2Ga1-y2N势垒层依次层叠的周期性结构，所述第三量子层为5-20个周期的Inx3Ga1-x3N势阱层和Aly3Ga1-y3N势垒层依次层叠的周期性结构，x1＞x2＞x3，y1＞y2＞y3；所述Inx1Ga1-x1N势阱层的生长温度大于所述Inx2Ga1-x2N势阱层的生长温度，所述Inx2Ga1-x2N势阱层的生长温度大于所述Inx3Ga1-x3N势阱层的生长温度。

全文数据：

权利要求：

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