申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810167A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L23/528

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明提供了一种双大马士革结构及其制备方法，在半导体基底上形成第一沟槽后，通过选择高刻蚀选择比的材料，在所述第一沟槽内壁进行原子层沉积形成原子衬底层，由所述原子衬底层上的第二沟槽定义出通孔的尺寸，并且根据所述第二沟槽进一步刻蚀出通孔，最后去除所述沟槽内壁剩余的所述原子衬底层，形成符合器件工艺要求的沟槽及通孔结构。上述方案，减少了双大马士革结构光刻流程的次数，简化了双大马士革结构的制备工艺流程，降低了工艺周期，节约了工艺成本，提高了生产效率。

主权项：1.一种双大马士革结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体基底，所述半导体基底上设置有刻蚀停止层；在所述半导体基底内形成第一沟槽；于所述第一沟槽内壁进行原子层沉积形成原子衬底层，所述原子衬底层上具有第二沟槽；刻蚀位于所述第二沟槽底部的所述半导体基底并且停止于所述刻蚀停止层，形成通孔；去除剩余的所述原子衬底层，形成所述第一沟槽及所述通孔连通的结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 双大马士革结构及其制备方法

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